PICT0021 (22)

prężeń wywołujących odkształcenia plastyczno (w porównaniu z naprężeniami określonymi teoretycznie).

Mała wartość granicy plastyczności materiałów wyżarzonych świadczy o istnieniu w tych materiałach odpowieduicj liczby dyslokacji. Liczbę tę określa się przez podanie tzw. gęstości dyslokacji q. Jest to mierzona w centymetrach dyslokacji są granice ziaren lob zaburzenia spowodowane obcymi wtrąceniami, gdzie dodatkowo występuje koncentracja naprężeń spowodowana, między in-.nymi, różnymi własnościami sprężystymi materiału i zanieczyszczeń. Ponadto

y			r
				1
5?

/L	z:	zl		1
				|
s				i
			y	^9

			V
			li
l'"’
	I \A'
	l'\ \
\r'ł	1		u

;Rys. 1.27. Powstanie dyslokacji przez połączenie się kryształów o małym kąoio pochylenia względem siebie: a) kryształy przed połączeniem, b) kryształy po połączeniu

	z
				*(
	y

y s / s -a
				TĄ
		"		r i
				*■ 5s
V

Gdy gęstość dyslokacji w krysztale jest zbyt mała i istnieją trudności w ich tworzeniu się, występują znaczne naprężenia uplastyczniające. Spowodowane to jest koniecznością działania dużych naprężeń, niezbędny eh. do uruchomienia Źródeł dyslokacji. Uzyskanie kryształów o malej gęstości dyslokacji wymaga jednak specjalnych zabiegów.

					r
		V *	te		i J *
>jl					!>*V
			.y
		y
			I			•/

////Ty"'.					i
				Ig?	T-
	/				l •
d	iy			Bf		jft*
				y			s
	/

długość linii dyslokacji znajdujących się w 1 cm³ metalu. Gęstość dyslokacji w materiale wyżarzonym w przybliżeniu odpowiada gęstości dyslokacji, któij powstają w czasie krzepnięcia metalu. Tc ostatnie dyslokacje powstają, podcz*^ krystalizacji, między innymi na skutek łączenia się poszczególnych fragmentóW kryształów pochylonych względem siebie pod niewielkimi kątami (rys. 1.210 W materiale odkształcanym plastycznie dyslokacje tworzą się w micjscacjj]

Rys. 1.26. Schematy ilustrujące powstanie odkształcenia trwałego w w lokacji: a) krawędziowej, b) śrubowej, c) złożonej

3.4. ODKSZTAŁCANIE PRZEZ BL1ŹNIAKOWANIE

jatomów występuje w tym przypadku w płaszczyźnie gęsto upakowanej, na .odległość mniejszą od parametru sieci. Ma to miejsce wtedy, gdy przemieszczanie to nie odbywa się w kierunku najgęściej obsadzonym przez atomy, tak jak przy dyslokacji jednostkowej (rys. 1.2Sa), ale pod kątem 30° do tego Kierunku. W rezultacie powstaje błąd ułożenia.

[ Jeżeli dyslokacjo częściowe powstaną w każdej następnej płaszczyźnie gęsto Spakowanej w pewnym obszarze kryształu, to utworzy się w nim również taka

42