Img00186

190

topnienia. Pręt jest powoli przesuwany względem grzejnika i za strefą roztopionego metalu rozpoczyna się wzrost monokryształu na granicy strefy ciekłej i stałej.

O

Rys. 3.58—1. Metoda beztyglowa krystalizacji:

1 — zarodek, 2 — polikrystaliczny pręt półprzewodnikowy, 3 — strefa grzejna (cewka w.cz.),

4 — przesuw strefy grzania, 5 - faza ciekła 6 — wlot i wylot gazu

3.59. Istnieje możliwość otrzymywania monokryształów materiałów półprzewodnikowych przy temperaturze dużo niższej od ich temperatury topnienia. Wykorzystuje się to, że mieszanina półprzewodnika z innym materiałem może topić się w temperaturze niższej od temperatury topnienia samego półprzewodnika. Uzyskuje się wtedy wzrost monokryształu z roztworu w temperaturze topnienia mieszaniny.

Przykładem niech będzie GaAs, którego temperatura topnienia wynosi 1238°C, a mieszanina GaAs z metalicznym Ga (temperatura topnienia 30°C) topi się przy znacznie niższej temperaturze (zależnej od składu mieszaniny). Po zanurzeniu zarodka GaAs w stopio iej mieszaninie tworzy się na nim monokrystaliczna warstwa GaAs.