skrypt138

141

Tablica 8.3.

S/.crokość pasma zabronionego w>'branych półprzewodników i związków' [3.51

Nazwa	Tellur (Tc)	German (Go)	Krzem (Si)	Arsen (As)	Selen (Se)	Siarka (S)	InSb	InAs.
Pasmo 7.n-bmionc [eV]	0.36	0,72	1.12	1,2	1.7	2,5	0,17	0.36
Grupa w tablicy Menclelejewa	VI	IV	IV	V	VI	VI

Mogą to być ciała monokrystalicznc, polikrystaliczne i amorficzne. W półprzewodnikach samoistnych przewodnictwo polega na przejściu elektronu do pasma przewodnictwa. Przejście takie wymaga dostarczenia odpowiedniej ilości energii. Zarówno elektron, jak i pozostająca w paśmie walencyjnym dziura, mogą brać udział w przenoszeniu ładunku, ale tylko w swoich pasmach. Mówimy o przewodnictwie typu n i typu p. W półprzewodnikach samoistnych gęstość elektronów (n) i dziur (p) są sobie równe. O ilości par generowanych w danym półprzewodniku decyduje ilość dozwolonych stanów w obu pasmach, a także statystyka ich obsadzenia, nazywana statystyką Fermiego-Diraca.

f(W) =-^TwT

1 + e ^kT

gdzie:

W

W_h

k

T

poziom energetyczny, którego prawdopodobieństwo obsadzenia obliczamy,

energia poziomu Fermiego, stała Boltzmana. temperatura.

Wyliczona koncentracja par nośników jest dana zależnością:

3

iij = AT ^? exp(-

2kT^}

(8.7)

Gdy w półprzewodniku samoistnym rośnie temperatura, ilość nośników rośnie wykładniczo. Wzrasta więc wykładniczo również konduktywność (rys. 8.7)