Img00151

155

Tablica 3.2-1

155

a)

Szerokości pasm zabronionych niektórych półprzewodników samoistnych

Półprzewodnik	Te	Ge	Si	Se	PbS	InSb	InAs	GaSb
Energia jonizacji eV	0,33	0,7	1,1	1,6	0,35	0,17	0,36	0,68

Rys. 3.2-2. Model pasmowy półprzewodnika samoistnego niewzbudzonego (a) i wzbudzonego (b): 1 - pasmo przewodnictwa, 2 — pasmo zabronione, 3 — pasmo walencyjne, 4 — jonizacja (tworzenie par elektron-dziura), 5 — rekombinacja, — poziom Fermiego, W_n — dolna granica pasma przewodnictwa, W — górna granica pasma walencyjnego

3,3. Na rysunku 3.1 — 1 przedstawiono schematycznie płaski obraz powiązań atomowych Ge w strukturze krystalicznej. W rzeczywistości struktura krystaliczna jest trójwymiarowa. Powiązania atomów w komórce elementarnej kryształu germanu

Rys. 3.3—1. Komórka elementarna sieci diamentu