Img00156

160

Tablica 3.9-1

Porównanie niektórych własności kilku półprzewodników samoistnych z własnościami miedzi

Materiał	W eV	^fln m-^3	“n m^2/V • s	nr/V ■ s	Y S/m
Ge	0,7	1,7-10^ly	0,42	0,21	1,7
Si	1,1	1.0-10^16	0,13	0,05	2,9-10^-4
GaAs	1,38	9,1 -10^12	0,60	0,03	9,1-10‘^7
Cu	-	8,4-10^2łl	0,005	-	5.6-10^7

3.10. Konduktywność tak metali, jak i półprzewodników, jest proporcjonalna do iloczynu ruchliwości nośników oraz ich koncentracji (p. równ. (3.9-1)). Wzrost temperatury i związane z tym zwiększenie drgań sieci krystalicznej zmniejszają ruchliwość elektronów i dziur w półprzewodniku, analogicznie jak elektronów w metalach. W przeciwieństwie jednak do metali, gdzie koncentracja elektronów jest stała, w półprzewodnikach zależy ona bardzo silnie od temperatury (równ. 3.9—5). Przy wzroście temperatury zachodzą zatem w półprzewodnikach dwa procesy oddziałujące na wartość konduktywności w przeciwnych kierunkach: zmniejszanie się ruchliwości i bardzo silny wzrost koncentracji nośników. W rezultacie, ze wzrostem temperatury silnie rośnie konduktywność półprzewodnika samoistnego (rys. 3.10—1).

Rys. 3.10-1. Zależność rezystywności czystego germanu od temperatury