skrypt143

W półprzewodnikach przebieg zależności jest bardziej złożony. W charakter) styce możemy wyróżnić trzy zakresy (rys. 8.12).

T

Rys. 8.12. Zależność koncentracji nośników od odwrotności temperatury

W zakresie pierwszym za wzrostem koncentracji odpowiedzialna jest joniz domieszek. W obszarze drugim koncentracja nośników stabilizuje się ponie wszystkie domieszki zostały zjonizowane. Dopiero dalsze zwiększenie ene* jonizacji powyżej energii pasma zabronionego (W>Wg) powoduje przeniesie elektronów' pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa i zwiększenie k centracji nośników samoistnych. Odpowiada to zmianom koncentracji w zak. sie (III). Zmiana konduktywności półprzewodników w funkcji temperatury w wołana jest głównie zmianami koncentracji nośników. Niewielki wpływ chliwości obserwujemy w zakresie (II), kiedy wpływ wzrostu koncentracji śników generowanych domieszkami jest wyeliminowany. Powoduje to n znaczną zmianę konduktywności przy wzroście temperatury' (rys. 8.13.)

Rys. 8.13. Zmiany konduktywności półprzewodnika domieszkowanego w funkcji te ratury