m2 (17)

2 Wymiana ^Metronów jest po^istawa witania:

V

►'o/encyfnegoS,    jomy/ftgo. woJbrWy

3    W strukturach krystalicznych mctaji w>aepu|iliAi międzyw^iowt.

czterfahZtetme.    QpgfctofeieiwrS etfm^rfmr

4    Dyslokacja Itrawpfcatwa » matenabd^krystalicznych jesi defektem:

pur^uiyym, (^lirtiawym^s pomt*^pkt$iowy m

5 Obwodyjnaynetycaei mnp i iy _strwa,łe    si^ r /

^antyferromagne tyków^ dmmd^ttyków.    ptir anjjjtgtfe tyków

6    Materiały na magnesy trwałe metaliczne to: ---—

czystestffazo,    stal hąfckfwana. ( stal krzemowa zimnowalcowana

7 Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest:

Ó, (Fi&y) l*iÓ

8 Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest: dojfatni, Cjtjemny^ zehywy'

9 Technologię sitodruku stosuję się przy wytwarzaniu układów scalonych: _

ych cienkowarstwowych^ monolitycznych, (^hybrydowych grubowar

10 Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory:

techpi^zne, preypsgjne, (fgrzejt

11    Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszki

don^friwo, Ca^eptorowo^    n iedomje^d^wanym

12    Podstawowy metodą oczyszczania materiałów półprzewodnikowych jest:

transmmącja

U

imripntącja,

mtaKsję z zastosowanie

mz Ac

13 Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skróć

14 Złącze p-n jest podstawowym elementem: warystora, fotodiody, termistora

23-01-07 09M9

* 5 Pt^ewodność^elektryczna dielektryków mą przede wszystkim charakter: CjonowyL^CL dipolowy

* 6 Na stratew dielektrykach przy napięciu pr^emierpiym ma wpływ ich: przewodność)    (jndukcyjnoścf)    potsuyzacja