P1000133 (2)

1^1 Domieszkowanie Półprzewodniki typu P

Półprzewodniki silnie domieszkowane oznacza się symbolami N⁺ i P*, a słabo domieszkowane tł i P Przewodnictwo w półprzewodnikach domieszkowanych ma charakter niesamoistny oraz samoistny Nośniki występujące w większej liczbie (elektrony w półprzewodniku N i dziury w półprzewodniku P) nazywamy nośnikami większościowymi. Nośniki występujące w mniejszej liczbie (dziury w półprzewodniku N i elektrony w półprzewodniku P) nazywamy nośnikami mniejszościowymi.

Przewodnictwo mesamoistne (domieszkowe) wzrasta wraz ze stopniem domieszkowania i jest niezależne od temperatury.

Elementy półprzewodnikowe składają się z warstw typu N i P Rozróżniamy elementy unipolarne i bipolarne. W elementach unipolarnych prąd przepływa tyko przez jedną strefę o jednym rodzaju przewodzenia. W elementach bipolarnych prąd przepływa przez kitka stref o różnym rodzaju przewodzenia.