P1030350

P1030350



280    M.Polowczyk, E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

6.23. Tranzystory specjalne MOS. Zabezpieczenie bramki przed elektrycznością statyczną

6JJ.1. Tetrody MOS

Dla licznych zastosowań w zakresie VHF i UHF, takich jak tunery TV i im podobne urządzenia w.cz., produkuje się dwubramkowe tranzystory MOS, zwane tetrodami MOS.

Tetroda MOS zwykle wykonywana jest jako kaskadowe połączenie dwu jednakowych tranzystorów MOS z kanałem wbudowanym (rys.6.54).

Rys. 654. Schemat wewnętrzny tetrody MOS z kanałem typu n (a) i jej symbol (b)


Zaletami tetrody MOS w porównaniu z tranzystorem MOS są:

1)    znacznie mniejsze pojemności sprzężenia zwrotnego CG1G od pojemności CGG tranzystora,

2)    możliwość prostszej realizacji wzmacniaczy w.cz. z ARW (automatyczną regulacją wzmocnienia) i miesza czy.

Zmniejszenie pojemności sprzęgającej CG1p następuje dzięki temu, że przy stosowaniu tetrody, jako elementu wzmacniającego (rys.6.55), bramkę G2 utrzymuje się na stałym potencjale w stosunku do źródła, tzn. bramkę tę zwiera się dla prądów w.cz. ze źródłem, a napięcie UDS utrzymuje się na tak dużym poziomie, by tranzystory Tl i T2 pracowały w zakresie aktywnym.

Ograniczając się do wewnętrznych sprzężeń pojemnościowych gwiazdę pojemności CG1D1, Cf^, CD2S2 można zastąpić równoważnym trójkątem (rys.6.56).

Przy tym, przy założeniu, że CG1D1= CG2D2= CGD, CGIS1=    CGS, otrzymuje

się:

Cd2S2

G1D GD CD2S2+ CGD+ CGS °D    (6.194)

CgD (CGS + CD2S2 )

1 ^D2S2+ ^GD+ ^GS    G1°    (6.195)

CD2S2 ( CGS + CGD )

^ CD2S2+ OjD + CGS    G1°    (6.196)

gdzie Cq2S2 jest pojemnością pasożytniczą obwodu dren-źródło tranzystora T2 wchodzącego w skład tetrody (patrz rys.6.54’ i rys.6.55).

•)


^002

->

we



Ry*. 655. Schemat wzmacniacza na tctrodzic MOS (a) i schematy zastępcze mak)sygnałowe (b,c)


Bramka G2 w połączeniu jak na rys.6.55 ekranuje więc niejako dren od sprzężenia pojemnościowego z bramką Gl, co zgodnie z zależnością (6.194) umożliwia znaczne zmniejszenie pojemności CG1p. Marciniak [M2] podaje, że jest możliwe uzyskanie wartości CGlD z przedziału 0,02...0,05pF (patrz rys.6-58b), co w rezultacie pozwala wzmacniać sygnały harmoniczne o częstotliwości do 1GHz.

Tctroda MOS może również służyć do przemiany częstotliwości, na przykład w superbetorodynowych odbiornikach sygnałów w.cz., oraz do realizacji wzmacniaczy z automatycznie regulowanym wzmocnieniem. W zastosowaniach tych na bramkę G2 podaje się sygnał beterodyny lub sygnał regulacyjny ARW, a na bramkę Gl podaje się

Rys. 6.56. Gwiazda (a) i równoważny trójkąt pojemności (b) tetrody MOS



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
P1030350 280    M.Polowczyk, E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE6.23. Tranzystory
10337 P1030350 280    M.Polowczyk, E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE6.23. Tranz
P1030331 244 M.Polowczyk. E KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE W schematach zastępczych tranzysto
15914 P1030342 266 M.Polowczyk, E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.40. Zależność pojemno
48981 P1030334 250 M-Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE 6.1.5. Tranzystory HBT i
P1030345 270 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystor wykonujc się w podłożu
45131 P1030358 296 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE 6.18. Elementy macierzy [be]
18275 P1030340 262 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE IGSr- prąd rckombinacyjny br
71151 P1030346 272 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Czas transportu elektronów p

więcej podobnych podstron