21666 Laboratorium Elektroniki cz I 0

176

8.6. Tematy do opracowania

1. Narysować wykresy zależności zdjętych w czasie ćwiczenia, omówić ich przebieg i podać wnioski.

2. Wyznaczyć z charakterystyk parametry obwodu głównego tyrystora.

3. Wyznaczyć z charakterystyk bramkowych parametry obwodu bramki.

8.7. Literatura

1. F.E. Gentry, F.W. Gutzwiller, N. Holonyak, E.E. Von Zastrow: Tyrystory, półprzewodnikowe prostowniki sterowane. WNT, Warszawa 1969.

2. A. Banaszkiewicz: Tyrystory. WNT, Warszawa 1966.

3. St. Malzacher, A. Błaszkowski: Elektronika. Cz. 1. Elementy układów elektronicznych. Skrypt nr 951 Pol. Śl. Gliwice 1981, s. 121-126.

4. W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984. s. 495-504.

5. J. Luciński: Układy tyrystorowe. WNT, Warszawa 1972.

6. K. Badźmirowski, J. Kołodziejski, L. Spiralski, L. Stolarski: Miernictwo elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. WKŁ, Warszawa 1984, s. 206-234.

Mi siol

Ćwiczenie 9

POMIARY CZASÓW PRZEŁĄCZEŃ DIOD I TRANZYSTORÓW

9.1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze zjawiskami zachodzącymi przy przełączaniu diod i tranzystorów bipolarnych oraz metodami pomiarowymi stosowanymi do wyznaczania czasów przełączeń.

9.2. Wprowadzenie

9.2.1. Przełączanie diody półprzewodnikowej

Diody w układach impulsowych spełniają często funkcję kluczy przepuszczających impulsy tylko w jednym kierunku. Dioda impulsowa przeznaczona do takich zastosowań powinna spełniać przede wszystkim następujące wymagania:

- wykazywać bardzo małą rezystancję w kierunku przewodzenia,

- wykazywać dużą rezystancję w kierunku zaporowym,

- bezzwłocznie reagować na impulsy, czyli nie powodować zniekształceń i opóźnień (działać z jak najmniejszą bezwładnością).

Dioda przełączana ze stanu odcięcia do stanu przewodzenia wymaga pewnego czasu do osiągnięcia stanu ustalonego. Czas ten (tf_r) nie ma jednak istotnego znaczenia, gdyż jest znacznie krótszy od czasów przełączania diody w kierunku przeciwnym, tj. ze stanu przewodzenia do stanu odcięcia.

W diodzie spolaryzowanej w kierunku przewodzenia koncentracje nośników mniejszościowych w obszarze złącza są duże - nośniki przechodzą z przeciwnych stron złącza, gdzie są nośnikami większościowymi (patrz rys. 9.1 a).