57923 spektroskopia022

44

A Cjjm]

Rys. 18. Krawędź plazmowa InSb typu n w temperaturze pokojowej dla różnych koncentracji elektronów. Linie ciągłe — zależności teoretyczne [9]

Całkowite odbicie można interpretować jako ekranowanie wnętrza ośrodka przez drgania nośników w warstwie powierzchniowej.

Drgania plazmy są skwantowane (noszą nazwą plazmonów), a ich energia wyraża się w jednostkach hco_p. Energię tę można wyznaczyć analizując funkcję strat — Im(l/s(eo)). W okolicach krawędzi plazmowej funkcja ta osiąga maksimum dla częstości co = co_p.

Przejścia między podpasmami pasma walencyjnego lub przewodnictwa

Przejścia tego rodzaju noszą również nazwę międzypasmowej absorpcji na swobodnych nośnikach.

Rozpatrzmy na wstępie okolice maksimum pasma walencyjnego. Jeżeli koncentracja dziur jest wystarczająco duża, to poziom Fermiego

Rys. 19. Widmo absorpcji GaAs typu p dla czterech temperatur [10]. Maksima dla energii 0,15; 0,31 i 0,24 eV zinterpretowano jako przejścia między podpasmami pasma walencyjnego: lekkie dziury—ciężkie dziury (Ih -» hh), pasmo spin-orbitalnie odszczepio-ne—lekkie dziury (so — Ih), pasmo spin-orbitalnie odszczepione —ciężkie dziury (so — hh). Dla energii mniejszych od 0,1 eV zaczyna uwidoczniać się absorpcja na swobodnych nośnikach. Wstawka na rysunku prezentuje schemat obserwowanych

przejść

znajdzie się tak głęboko, że staną się możliwe przejścia między odszczepionym przez oddziaływanie spin —orbita podpasmem dziur a kolejno pasmami ciężkich i lekkich dziur. Staje się również możliwe