ZASADY OZNACZANIA PRĄDÓW I NAPIEC
Prąd stały oznaczamy dużą literą I, a jego kierunek oznaczamy strzałką umieszczaną w gałęzi, w której dany prąd płynie. Dodatnia wartość natężenia prądu oznacza, że prąd płynie w kierunku wskazywanym przez strzałkę, tzn. w tym kierunku w półprzewodniku płyną ładunki dodatnie (dziury). Ładunki ujemne (elektrony) płyną w półprzewodniku w kierunku przeciwnym do wskazywanego przez strzałkę, a całkowity prąd jest sumą prądu elektronowego i prądu dziurowego.
W metalowych przewodach łączących ze sobą elementy gałęzi prąd ma charakter elektronowy, a zatem w rzeczywistości elektrony przemieszczają się w kierunku przeciwnym do wskazywanego przez strzałkę.
Symbolem wr postaci dużej litery U (lub V) z jednym indeksem wskazującym punkt (węzeł) obwodu oznaczamy potencjał tego punktu względem wspólnego dla całego obwodu punktu odniesienia określonego symbolem masy. Np. Uą = - 5 V oznacza, że węzeł „A” ma potencjał stały' niższy o 5 V od potencjału masy.
Napięcie stałe pomiędzy dwoma punktami (np. ą 0 ą 0
węzłami „A” i „B") obwodu oznaczamy symbolem w t
postaci dużej litery U z podwójnym indeksem uba = '5V
wskazującym te punkty, (czyli np. Uab) przy czym Q 0 g '
strzałka napięcia umieszczana pomiędzy tymi
punktami wskazuje na punkt określony przez pierwszy z. dwu indeksów (w omawianym przypadku byłby to punkt A). Gdy potencjał punktu wskazywanego przez strzałkę jest wyższy (czyli u nas potencjał punktu A jest wyższy od potencjału punktu B) napięcie (u nas Uab) ma wartość liczbową dodatnią. Jeśli wyższy jest potencjał punktu B, napięcie oznaczone strzałą wskazującą punkt A ma wartość ujemną. Obowiązuje zależność U ba = - Uab, czyli przedstawione obok dwa sposoby zapisania żc potencja! punktu A jest o 5 V wyższy od potencjału punktu B są równoważne.
Z powyższych stwierdzeń wynika, że kierunki strzałek dla oznaczeń napięć i prądów można wybierać dowolnie, należy tylko wartościom liczbowym napięć i prądów przyporządkować właściwe znaki. Strzałki napięcia i prądu na rezystorze w gałęzi AB powinny w zasadzie otrzymać zwroty przeciwne, gdyż wtedy prawo Ohma ma znaną postać R=UAb/I.
Jeśli strzałki napięcia i prądu na rezystorze mają zwroty zgodne, prawo Ohma przybiera postać R = -Uab //•
Prądy i napięcia zmienne oznaczamy małymi literami z indeksami wskazującymi miejsca ich występowania, np. /„*, ewt, u/v, itp. Amplitudy prądów i napięć zmiennych oznaczamy dużymi literami, przy czym stosujemy drugi indeks w postaci małej litery m (wskazujący na wartość maksymalną), np. Uwym oznacza amplitudę napięcia wyjściowego uw,.
a
P
d
e
OJ
c
c,
Cmr
Cwy
D
DZ
Ecu
f
In
Ic
Ic»o
Iczo
!o
U
la
I.
h
k
LED
P
R
Rn
Rc
rn
Rdz
Re
Rl
R*r
SEM
SPM
t
T
T
T*
Ust
Ucn
Dcc
U CE Urr,
Ud,i U*t Ur
U(iS
ur
Urn,
Uutm Uz. UDZ UzAS
Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego w układzie WB Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego w układzie WE Przyrost wartości zmiennej (np. napięcia lub prądu) lub parametru (np. temperatury) Temperaturowy współczynnik zmian napięcia Pulsaga (częstotliwość kątowa) sygnału zmiennego co = 2xf (rd / sek)
Kondensator, pojemność kondensatora Kondensator sprzęgający Wejściowy kondensator sprzęgający Wyjściowy kondensator sprzęgający Dioda
Dioda stabilizacyjna (Zenera)
Wejściowe napięcie wspólne (ang. commnn modę - tryb wspólny)
Częstotliwość sygnału. [I/sckj = [Hz|
Prąd bazy' tranzystora bipolarnego
Prąd kolektora tranzystora bipolarnego (ang. cnlUctor = kolektor)
Prąd polaryzacji wstecznej złącza kolektor - baza tranzystora bipolarnego
Prąd zerowy tranzystora bipolarnego w konfiguracji WE
Prąd drenu tranzystora unipolarnego
Prąd emitera tranzystora bipolarnego
Prąd bramki tranzy stora unipolarnego (ang. gale = bramka)
Prąd wsteczny diody lub złącza (prąd nasycenia nośników mniejszościowych) i^ąd źródła tranzy stora unipolarnego (ang. source = źródło)
Stała Boltzmanna
Dioda świecąca (ang. lighi cmii ling diodę)
Moc
Rezystor, wartość rezystancji Rezystor w obwodzie polaryzacji bazy Rezystor w obwodzie kolektora
Rezystancja dynamiczna elementu nieliniowego (np. diody) w punkcie pracy
Rezystancja dynamiczna diody Zenera w obszarze przebicia
Rezystor w obwodzie emitera
Rezystancja obciążenia (ang. load - obciążenie)
Rezystancja wyjściowa Siła elektromotoryczna Siła prądomotoryczna Czas
Temperatura bezwzględna [K]
Tranzystor
Temperatura podwojenia prądu zerowego złącza baza - kolektor
Napięcie baza - emiter tranzystora bipolarnego
Napięcie kolektor - baza tranzystora bipolarnego
Napięcie zasilające obwodu kolektorów
Napięcie kolektor - emiter tranzystora bipolarnego
Napięcie Uce w stanie nasycenia (ang. saturation - nasycenie)
Napięcie dren - źródło tranzystora unipolarnego
Napięcie zasilające obwodu emiterów
Spadek napięcia na przewodzącej diodzie
Napięcie bramka - źródło tranzystora unipolarnego
Napięcie progowe tranzystora unipolarnego (ang pinrh-off wltage)
Zmienne napięcie wejściowe Zmienne napięcie wyjściowe Amplituda zmiennego napięcia wyjściowego u*,
Napięcie przebicia diody Zenera Napięcie zasilające