30020 skanowanie0009 (21)

'Wll)/[M-g_mFET(^r_we„)] X r^n/O-Z-f-rwdl) = g»FET/[g*FET(l+rzg_mTB)+^«ra]. (a) A„OI - g_mm/(gmrn+gmTB) = 0,088, *„()■ u_Wy/u_we = Uyyy/Uyyi• u_wyi/u_we=k_u0ikuon** 19,8 (b) k_M= 0,085, k_u0= 19,1.

'1.13. Wzmacniacz OB, u_wy(t) = g_mR_cu_we(t) = -^-R_cu_we(t) = lfism(at)W.

2AJ t

4,14. kri ■ g_mKc||fo = (!dU_T)RcR<ARc+RÓ) < RJdU_T < (Ucc-Ucem)/Ut - k_u0ma s i/_Cc/t/r - 800.    =

AuDihm dla Rq — oo, Rdc~ Ucc~ UcEnt=> Rc/%JJcc~Ube)IRb~ Ucc~ Uc

/c£,et =>Rc= R_B!fi = lkn. U_cc IU-r

4.15. (a) k_u0 = gjic = Wt/r <    _s Uę.c[^UT_₌ .

= A,

"uOmax

= 3200, A*o= A«onu» gdy Rd/c-l)= U_cc~ U_CEM, Rc{JKUcc-U_Be)IRb-I]= U_cc~ Ucs*t =>Rc

I 'IRh<\Pdcc)

| Rgl(J3 -IRb/Ucc) - 4kO. (b) k_uQmiIX -» oo gdy I => l_c = y%Ucc-U_be)/Rb = 20mA, nie ma wtedy ograniczenia

na wartolć R&    syy

Rlf    d'

4,16.    = ^^■_c/(r₆._e+ **) = -h^R^huUdlc + *g) = -1760.

Oblicz napięcie wyjściowe uwy(*)> jeśli e_g(t) = 10sin(27t/i) mV. Przyjmij, że / leży w zakresie częstotliwości średnich. Parametry małosygnałowe tranzystora oblicz na podstawie punktu pracy (przyjmij, że h₂u = P)- Oblicz częstotliwości graniczne wzmacniacza: gómą^ i dolną/j.

5.1

Przyjmij C_Ve=-~pF, C^_c=—pF oraz, że r_w « R_g-

Oblicz pojemność wejściową C_w oraz górną częstotliwość graniczną^ wzmacniacza z zadania 4.1, jeśli jest on sterowany ze źródła napięciowego o rezystancji wewnętrznej R_g = 2 kfi. W obliczeniach przyjmij C_gs= Cgj= 200 pF.

5.3

Oblicz częstotliwości graniczne: dolną^j i gómą/g oraz pojemność wejściową wzmacniacza z zadania 4.3, w którym tranzystor ma w punkcie pracy Ic - 4mA następujące parametry w.cz.: fv= 1 GHz, C_b-_c= 3 pF, 15Q.

5.4

Oblicz wzmocnienie skuteczne    oraz dolną

częstotliwość graniczną fj wzmacniacza. Przyjmij h₂u = p= 100.

Tranzystor J-FET w punkcie pracy ma transkonduktancję g_m = 3 mS. Narysuj przebieg logarytmicznej charakterystyki amplitudowej wtórnika źródłowego (OD). Obliczenia przeprowadź dla przypadku r* = oo. Przyjmij C_gs =

Cd,- 7 pF.

Oblicz górną częstotliwość graniczną^ (pasmo) i pole wzmocnienia wzmacniacza OB z zadania 4.13. Tranzystor w punkcie pracy I_c = 1 mA ma następujące parametry w.cz.: fc = 120 MHz, C_b<_c= 5 pF. W obliczeniach przyjmij r_bb = 0, r_ce = oo oraz, że wzmacniacz jest obciążony rezystancją Rl= 4 kfi i sterowany ze źródła sygnału o rezystancji wewnętrznej R_g = 50 fi.

3.7

Oblicz wzmocnienie skuteczne ku,o i górną częstotliwość graniczną^ (pasmo) wzmacniacza OG. Tranzystor J-FET w punkcie pracy ma transkonduktancję g„ = 6 mS. Obliczenia przeprowadź dla przypadku r* = oo. Przyjmij C_g,= Cd,= 3 pF.

21