292
mniejszościowych (QBN, QE), czas ustalania się procesów przejściowych zależy I tylko od właściwości nośników mniejszościowych, a nie większościowych. Dla- I tego rozważając procesy przejściowo w tranzystorze będziemy mówić tylko o noś- I nikach mniejszościowych, przyjmując za oczywiste, że towarzyszą im zawsze I w taldej samej liczbie nośniki większościowe.
W stanie aktywnym inwersyjnym (rys. 5.44d) sytuacja jest symetrycznie analogiczna do I przedstawionej na rys. 5.44c, przy czym kolektor spełnia funkcję emitera, a emiter I — kolektora. W stanie nysycenia (rys. 5.44e), tj. przy polaryzacji obu złączy I w kierunku przewodzenia, występuje superpozycja stanów przedstawionych na I dwu poprzednich rysunkach.
Z przedstawionych ilustracji wynika wniosek, że inercyjność tranzystora jest związana I ze zmianami dwu rodzajów ładunków, tj.:
— ładunków warstw zaporowych złączy E-B, G-B (Qje, QJc);
— ładunków mniejszościowych nadmiarowych w bazie (Qn - QBN + QBi)> cmite- I rze (Qe) i kolektorze (Qc).
W tranzystorze z jednorodną bazą ładunld QB, Qc są zwykle pomijalnie małe w porównaniu z ładunkiem QB, gdyż złącza E-B, B-C jako niesymetryczne wstrzykują nośniki, I praktycznie biorąc, tylko do bazy. Dlatego w tym tranzystorze zwykle rozpa-truje się tylko zjawiska związane z ładunkiem QB i ładunkami warstw zaporo- I wych. W tranzystorze dryftowym opiplanarnym takie uproszczenie jest na ogól I uzasadnione w odniesieniu do ładunku QE (można go pominąć), gdjrż emiter jest silniej domieszkowany niż baza, czyli liczba nośników wstrzykiwanych z emi- I tera do bazy je3t znacznie większa niż z bazy do emitera, nic jest jednak słuszne I w odniesieniu do ładunku Qc — ładunek Qc może być porównywalny z ładun- I kiem Qtt, gdyż są porównywalno koncentracje domieszek po obu stronach zlą-cza B-C. W tranzystorze dryftowym w odróżnieniu od tranzystora bezdryfto- I wego inny jest rów'niez rozkład gęstości ładunku w bazie, co wiadomo już z wcześ- I niejszych rozważań. Uwzględniając te mvagi, na rys. 5.45 przedstawiono uprosz-czone ilustracje rozkładów' ładunku w obu rodzajach tranzystorów dla dwu naj-ciekawszych sytuacji, tj. dla stanu aktywnego normalnego i dla nasycenia. Przejdźmy teraz do opisu fizycznego procesów przejściowych w tranzystorze.
Zostanie teraz rozpatrzony proces przełączania tranzystora włączonego w' ukła- I dzie WE przedstawionym na rys. 5.46a. Tranzystor jest sterowany impulsami I prostokątnymi ze źródła eg. Rezystor RB ogranicza prąd bazy, który przy pola- I ryzacji dodatniej może osiągnąć co najwyżej wartość EP/Rn, a przy polaryzacji I ujemnej — ERjliB. Oczywiście przy polaryzacji ujemnej w stanie ustalonym prąd bazy jest znacznie mniejszy z uwagi na właściwości zaporowe złącza E-B. Prostą I obciążenia, po której przesuwna się punkt pracy podczas włączania i wyłączania tranzystora, przedstawiono na rys. 5.46b, przy czym cyframi od 1 do 8 oznaczono I charakterystyczne punkty, które umożliwiają prześledzenie zgodności trajek-torii punktu pracy z odpowiednimi przebiegami czasowymi i zmianami ładun- I ków wewnątrz tranzystora. Należy zwrócić uwagę, że rys. 5.46b przedstawia I charakterystyki statyczne, zatem zgodność wartości parametru (/„) z wartością | prądu kolektora, wynikającą z przecięcia charakterystyki Ic{Uce)\ib z prostą obciążenia, występuje tylko w stanach ustalonych.