297 (31)

- 297

Praca nieliniowa dynamiczna

■sowa przełączania r_N i słała czasowa magazynowania r_s. Stałe czasowe r_N, t„ są. podawane w katalogach lub można je wyznaczyć z innych parametrów.

Jeżeli przyjmie się, że wpływ stałej czasowej obwodu obciążenia tranzystora jest do pominięcia (małe wartości rezystancji obciążenia), to można napisać następujące

przybliżone związki:
, kf —0,1 t, — 0.9	(5.76)
kr+kf	(5.77)
1 +1 ,1	(5.78)
w których t — czas życia nośników^1*. Wyrażenie na czas td będzie podany w następnym punkcie po dodatkowych pojęć.	wprowadzeniu pewnych
Modele nieliniowe dynamiczne	5.8.3

Model nieliniowy dynamiczny stanowi najbardziej podstawowy i ogólny opis właściwości tranzystora, gdyż zawiera składniki reprezentujące model statyczny nieliniowy oraz można z niego wyprowadzić modele liniowe (ciągłą zależność nieliniową można aproksymować w niewielkim przedziale odcinkiem linii prostej). Stąd wynika, że modele nieliniowe dynamiczne stosowane w praktyce stanowią mniej lub bardziej uproszczone odbicie ogólnej teorii działania tranzystora. Procesy zachodzące w tranzystorze, jak i w innych elementach półprzewodnikowych, podlegają kilku podstawowym prawom, które matematycznie są formułowane w postaci sześciu równań (jest to najogólniejszy model matematyczny tranzystora):

równania ciągłości (dla półprzewodnika typu n):

, , .    . Sn    1 8 J_n    1 .

elektronów    ---(p-p„₀)

Ot    q ox    r_p

, . 8p 1 8J_P 1 *    '1T “    ~ ^7

równania gęstości prądu:

elektronów J„ = qp„nE+qD_n —

cx

dziur J_p = qp_ppE-qD_p ~

równanie wypadkowej gęstości ładunku:

q = q[p-n+N_D-N_A]

** Można go wyznaczyć ze stałej czasowej t.y, gdyż w pierwszym przybliżeniu r = Wynika to ze wzoru (5.42), jeśli zauważymy, że r = r, oraz przyjmiemy t.v = a* = <*<,.