278 (42)

- 278

Tranzystor bipolarny

Charakterystyki przejściowe

Zależność I_c [Ie)u_cb 3^est określona analitycznie równaniem (5.55). Przy U_CB <0 pierwszy człon tego wyrażenia jest pomijalnie mały, zatem I_c = /(/_E) jest zależnością liniową o nachyleniu a._N. W dokładniejszych rozważaniach należy uwzględniać niewielką nieliniowość spowodowaną zmianami współczynnika a._N w funkcji prądu emitera (rys. 5.21a). Interpretacja wpływu parametru U_CB na nachylenie prostej I_c — a*/_£ jest oparta na zjawisku modulacji efektywnej szerokości bazy i nie różni się od wyżej przedstawionego wyjaśnienia nachylenia charakterystyki Ic(U_Cb)-

Charakterystyki zwrotne

Na podstawie uproszczonego modelu tranzystora zależność U_EB(U_CB),_E powinna być linią prostą równoległą do osi U_CB (brak wpływu napięcia U_CB na (J_eB). Wiadomo jednak, że modulacja efektywnej szerokości bazy jest przyczyną pewnego oddziaływania zwrotnego. Zmniejszanie się napięcia U_EB w miarę wzrostu U_CB przy stałym prądzie I_E wyjaśniono już na rys. 5.31a.

Charakterystyki statyczne w układzie WE    5.7.2.2

Zgodnie z układem włączenia tranzystora:

h =*„

Iz — Ic U, = V_BE u z = U_CE

Rys. 5.34

Cztery rodziny charakterystyk statycznych w układzie WE