309 (35)

309

Modele i parametry dla pracy z małym sygnałem

B	E	c
Vlle	— (yl Le "L~yl 2c)	Vl2e	B
-(yiu+yne)	yi.le+yi2e+y2le+y22e	~ iVl2e +l/22e)	E	(5.
Vzie	" (y2le+y22e)	\V22e	C

y =

Stąd na przykład dla układu WC można określić następujące relacje (skreśla się trzeci wiersz i trzecią kolumnę):

Diu — Vlle

(5.108)

Vuc = ~ iVIle +'!/l2o)

y₂i c = - (yiu+y2ie)

y 22c — 2/lle+?/l2e+2/21e+2/32e

Parametry macierzy rozproszenia    5.9.1.2

Parametry macierzy z, h, y są wielkościami zespolonymi, zależnymi od częstotliwości. W miarę wzrostu częstotliwości coraz trudniej jest zapewnić warunki rozwarcia lub zwarcia odpowiednich końcówek tranzystora i coraz 'większy jest wpływ pasożytniczych pojemności obudowy oraz indukcyjności doprowadzeń. Dlatego pomiar tych parametrów w zakresie częstotliwości powyżej 300 MHz jest bardzo utrudniony, co skłania do tego, by w tym zakresie częstotliwości określać parametry tranzystora w stanie roboczym przy określonych wartościach impedancji źródła sterującego i obciążenia. W taki sposób są mierzone parametry macierzy rozproszenia. Ponieważ w technice mikrofalowej stosuje się standardowe linie przesyłowe o impedancji falowej 50 £2, zatem parametry rozproszenia są mierzone przy takich wartościach impedancji źródła i obciążenia.

W macierzy rozproszenia zamiast napięć («_Ł, u₂) i prądów (i,, i₂) stosuje się ich liniowe kombinacje. Zmiennymi niezależnymi są padające fale napięć (rys. 5.56):

Rys. 5.56

Czwórnik liniowy opisany parametrami «

(w, +Z_Li,)

(^U2 +^Ł* 2)

(5.109)

(5.110)

(5.111)

(5.112)

Zmiennymi zależnymi są odbite fale napięć: ^l,i = —~7= (^wi ~^zlH)

2)/Z_L

() — ~    (^2 — ^I ^2)

²    2 \/Z_L ²    2> przy czym Z,, praktycznie biorąc, zawsze jest równe 50 LI.