315 (27)

315

Modele i parametry dla pracy z małym sygnałem

czyli a._N = a = const

po podstawieniu zależności (5.130)—(5.132) do (5.120), (5.127) otrzymuje się

9W = (1-*)

<p_T

(5.133)

9m ^

<p_T

(5.134)

Dzieląc te równania stronami można zauważyć, że istnieje również związek

9b-e- =    (5.135)

Uwzględnijmy teraz w schemacie zastępczym gałęzie zaznaczone ua rys. 5.57 linią przerywaną.

Wpływ rezystancji szeregowych r_ee.r_cc. można uznać za pomi jalnie mały oraz, ze względu na pracę tranzystora w obszarze aktywnym normalnym, można pominąć pojemność dyfuzyjną kolektora C_dc. (Z p. 5.8.3.1 wiadomo, że C_dc = C_dc+C%_c, przyczyni w tym zakresie pracy C_dc = 0, a Cfc -4 C_Jc). Zatem:

r_cc, x 0 G_ic « 0

i schemat zastępczy z uwzględnieniem pozostałych elementów' ma postać przedstawioną na rys. 5.60. Taki model tranzystora jest nazywany „hybryd —”, gdyż

Kys. 5.60

Model „hybryd 7r” dJa tikladu WE

stanowi połączenie rezystora r_bh. z siecią o strukturze tc. Jeżeli uwzględni się ponadto wpływ zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy (w modelu wielko-sygnałowym to zjawisko jest uwzględnione w zależności a_Y(t-^rCn)), to model z rys. 5.60 należy uzupełnić pojemnością dyfuzyjną kolektora (C_ic — 0%), konduktancją zwrotną g_b,_c oraz konduktancją wyjściową g_ce. Stosując oznaczenia :

Cfre = C_je + Cj_e c„._c = Cj_C + C_ic

otrzymuje się model przedstawiony na rys. 5.61. Dokładność modelu „hybrydy: ” można zwiększyć rozbudowując go dalszymi elementami reprezentującymi zjawiska drugo- i trzeciorzędne. Z praktycznego punktu widzenia najistotniejsza jest umiejętność dokonania wyboru wariantu modelu o optymalnej złożoności i dokładności. W następnym punkcie rozpatrzymy szereg wariantów modelu „hybryd tt” w ujęciu „ewolucyjnym” od najprostszego do najbardziej złożonego.