316 (35)

Tranzystor bipolarny

- 316

W		—i=i— 9b'c \l^Cbc
	a	11 - Cbe iln^ub'e	n	!l

Rys. 5.61

Dokładniejszy wariant modelu „hy. bryd n” dla układu WE

Model „hybrydu ” dla, układu WE    5.9.2.2

Tablica 5.3 zbudowana na zasadzie matrycy o czterech wierszach i czterech kolumnach zawiera kilka wariantów modelu „hybryd tc” dla konfiguracji WE. W pierwszym wierszu są, przedstawione cztery' warianty modelu dla małosygna-łowej ąuasi-statycznej pracy tranzystora. Pojęcie pracy ąuasi-statycznej jest rozumiane w ten sposób, że wszystkie wartości chwilowe napięć i prądów są zgodne w fazie, czyli zmiany wielkości zależnych (w przypadku rozpatrywanego modelu są to prądy i_b, i_c) nadążają za zmianami ich argumentów (napięć u_tl, u_ce). Taka sytuacja występuje przy małej częstotliwości sygnału zmiennego i wówczas w modelu nie uwzględnia się elementów reaktancyjnyeh. Schematy umieszczone w pierwszym wierszu są uszeregowane W' kolejności odpowiadającej wzrastającej dokładności. Liniami pogrubionymi narysowano podstawowy (najprostszy) schemat, w którym uwzględniono tylko konduktancję obwodu w'ejśoio-wego g_be oraz źródło prądowe g_mu_be, dające sygnał na wyjściu tranzystora. Ten podstawowy model jest uzupełniany na kolejnych schematach przez dołączanie elementów w gałęziach narysowanych linią cienką. W ten sposób dołączono najpierw konduktancję wyjściową g_ce (jest ona równa tangensowi kąta nachylenia charakterystyki statycznej Z_C(C/_CE)), następnie konduktancję sprzężenia zwrotnego g_cb (reprezentuje ona zjawisko oddziaływania zawrotnego, spowodowanego modulacją efektywnej szerokości bazy) i w końcu rezystancję rozproszoną bazy%,.

W pierwszej kolumnie tablicy przedstawiono schematy zastępcze, w których uwzględnia się elementy reaktancyjne. Są to zatem modele dla pracy dynamicznej tranzystora, tj. dla takiego zakresu częstotliwości, w' którym występują przesunięcia fazowe między prądami a napięciami na końcówkach. Modele są uszeregowane w kolejności odpowiadającej wzrastającej dokładności opisu zjawisk dynamicznych. Najpierw' uwzględnia się tylko pojemność C_be (w najprostszym przypadku jest to tylko pojemność dyfuzyjna, związana ze zjawiskiem ładowania obszaru bazy', w wariancie dokładniejszym uwzględnia się również pojemność złączową OjĄ następnie pojemność sprzężenia zwrotnego O_bc (w wariancie prostszym jest to tylko pojemność złączowa 0j_c, w dokładniejszym uwzględnia się również pojem, ność dyfuzyjną C_ic = C^_c). Dokładność modelu jeszcze bardziej wzrasta przy' rozdzieleniu pojemności C_bc na dwie składowe dołączone do węzłów b, b'. Takie postępowanie ma uzasadnienie w rzeczywistej strukturze tranzystora planarnego. Jeszcze większą dokładność dałoby zastąpienie obwodu r_bb,, C_b._c linią długą, co jednakże skomplikowałoby nadmiernie schemat zastępczy.

Kompilując modele przedstawione w pierwszym wierszu z modelami w pierwszej kolumnie można otrzymać warianty modelu „hybryd n” o różnej dokładności ,,quasi--statycznej” i „dynamicznej”. Przykładowo — w pozycji wyznaczonej przei czwarty wiersz i czwartą kolumnę przedstawiono wariant „najdokładniejszy”, który z powodzeniem może być stosowany w bardzo szerokim zakresie częstotliwości. Słowo najdokładniejszy wzięto w cudzysłów, gdyż chodzi tylko o naj-