- 340
Tranzystor bipolarny
5.11
Parametr gm można wyznaczyć z zależności fizycznej
(5.209)
W temperaturze pokojowej (T = 290 K) <pT = 25 mV, a więc jeśli Ic wyrazimy w miliamperach, to
gm = 40 |JC| [mA/Vj (5.210)
Parametr gb-e wyznacza się na podstawie pomiaru zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego dla małych częstotliwości/? (inaczej h21c). Można w tym przypadku skorzystać z danych katalogowych, które jednak podają parametr h2le (dla / = 1 kHz) z rozrzutom ponad 100-procentowym
Ub'e
(5.211)
Parametr rbV można wyznaczyć na podstawie pomiaru zwarciowej rezystancji wejściowej hlle (pomiar przy' małej częstotliwości, na przykład / = 1 kHz). Ponieważ
*i te = rbb’ +rb>e (5.212)
zatem
Hf = (5.213)
Gm
Ściśle biorąc, parametr rbb- zależy od częstotliwości, gdyż rezystancja rozproszona bazy i pojemność złącza B-G tworzą obwód o stałych rozłożonych. W zakresie bardzo dużych częstotliwości, dla których jest spełniony warunek
o){Cb'e+Cb'c) P-
rbb•
można wyznaczyć rbb- na podstawdc pomiaru składowej rzeczywistej zwarciowej admitancji wejściowej
=ReyUc (5.214)
'w>'
Parametr gb-c można wyznaczyć na podstawie pomiaru rozwarciowego współczynnika oddziaływania wstecznego hl2e w zakresie małych częstotliwości (najczęściej / = 1 kHz). Ponieważ dla rozpatrywanego modelu
(5.215)
^ _ _ rb'e
l2e~ u2 ~ rb-c+rb'c
stosując zatem tradycyjny zapis skrótowy 2e = y oraz biorąc pod uwagę, że zawsze rb-c > rb-e, jest
iib'c fi gb'c
(5.216)