27 (481)

Rodzaje reaktorów

PANCAKE REACTOR

INPUT

GASES

Zalety metody MOVPE

Umożliwia precyzyjną kontrolę grubości i właściwości szerokiego spektrum warstw epitaksjalnych

Może być łatwo skalowana (Laboratorium-aplikacje przemysłowe) Osadzanie QD, QWires, QWells, ostrych interfejsów, heterostruktur z modulacją poziomu domieszkowania (modulation-doped heterostructures)

Alternatywne prekusory metaloorganiczne zamiast silnie trujących źródeł gazowych

Praca w zakresie AP i LP umożliwia zwiększenie wydajności W odróżnieniu od MBE gdzie proces wzrostu jest kontrolowany tylko temperaturą i kinetyką strumieni molekuł w MOVPE oprócz doboru temperatury i prekursorów molekuł można kontrolować ciśnienie w rektorze oraz skład atmosfery gazowej w reaktorze

Zastosowanie techniki MOVPE

•    Osadzanie warstw epitaksjalnych związków podwójnych, potrójnych, poczwórnych oraz pięcioskładnikowych półprzewodników AIIIBV i AIIBVI w tym GaAs, GaN, AlAs, InP AlGaAs, InGaAs, AlGalnAsN do zastosowań przyrządowych oraz do badań podstawowych

•    MOVPE jest najważniejsza badawczą i przemysłową techniką wytwarzania przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych

•    Osadzanie heterostruktur i supersieci

Materiały do laserów wytwarzane techniką MOVPE

GaAUnP/GaAs

GaAlAs/GaAs

GalnAs/GaAs

GalnAsP/InP

GaInAs/InP(strained)

GalnAsSb/

AlGaAsSb/GaSb

630

690 nm 720 - 880 nm | 880- 1040 ran

1080- 1600 nm

1600-2000. ran

i 2000 - 4000 nm

5 .6 .7.8 .9 1    2    3

Wavelength (pm)