328 (36)

- 328

Tranzystor bipolarny

—    ładowanie pojemności C_b-_c (dominującym składnikiem tej pojemności jest zwykle Gj_c) przez szeregową rezystancję kolektora r_c;

szeregowej kolektora i można je opisać funkcją jednobiegunową analogiczną jak dla złącza E-B. Jeżeli zdefiniuje się stałą czasową.

—    skończony czas przelotu nośników przez warstwę zaporową tego złącza. Pierwsze zjawisko ma istotne znaczenie w tranzystorach o dużej wartości rezystancji

(5.165)

to funkcja przenoszenia prądu przez złącze B-G, zdefiniowana jako stosunek prądu wypływającego z warstwy zaporowej tego złącza do prądu wpływającego

«ć(jw) =

(5.166)

1

W tranzystorach epiplanarnych rezystancja r_e jest bardzo mała, zatem wpływ tego zja-wiska można zwykle pominąć. Natomiast szerokość warstwy zaporowej złącza B-G jest w tych tranzystorach bardzo duża (szczególnie w tranzystorach dla zakresu b.w.cz. l_ib__c > JF„) i czas przelotu nośników przez tę warstwę (mimo ich bardzo dużej prędkości) może być porównywalny z czasem przelotu przez bazę.

Analiza tego zjawiska jest dość złożona. Funkcja przenoszenia a"(jco) zdefiniowana identycznie jak ać(jcu) ma postać

1_

//

(5.167)

(5.168)

a r't_c jest czasom przelotu nośników przez warstwę zaporową, wyznaczanym z ilorazu szerokości warstwy (drogi przelotu) i szybkości unoszenia

(5.169)

Ponieważ natężenie pola elektrycznego w' warstwie zaporowej jest bardzo duże {E > 10⁶ V/m), zatem szybkość unoszenia nośników jest w przybliżeniu równa szybkości termicznej (ok. 10⁵ m/s).

Funkcję przenoszenia a” (j&>) niekiedy przedstawia się w przybliżonej postaci funkcji jodnobiegunow^rej z czynnikiem uwzględniającym poprawkę na „nadmiar fazy", który wynika z unoszeniowego charakteru transportu nośników^

(5.170)

Sumaryczna stała czasowa złącza baza-kolektor r_c = t'+t''