357 (22)

Wstęp

— 357

Tranzystory MESFET mają znaczenie wyłącznie jako elementy mikrofalowe, dlatego są wytwarzane z Ga As typu n, tj. materiału o bardzo dużej ruchliwości nośników.

Wszystkie tranzystory JFET są wytwarzane z półprzewodników monoluystalicznyeh.

Tranzystory z izolowaną bramką mogą być wykonane z półprzewodnika monokrystalicz-nego (praktycznie biorąc w skali technicznej tylko z krzemu) lub polikrystalicznego (najczęściej są to związki typu A„ B_vl, jak np. CdSe, CdS itp.).

W pierwszym przypadku podstawową stukturę tranzystora tworzą warstwy metal-izolator--półprzewodnik, stąd nazwa tranzystor MIS (ang. Metal-Insulator-Semiconductor) lub MISFET, przy czym najczęściej funkcję izolatora spełnia warstwa Si0₂ ang. Oxide), stąd nazwa tranzystor MOS lub MOSFET. W drugim przypadku przyjęła się nazwa tranzystor cienkowarstwowy (skrótowa nazwa TFT, ang. Thin Film Transistor) z uwagi na spójność technologii wytwarzania tych tranzystorów z technologią wytwarzania układów scalonych cienkowarstwowych (podstawowa struktura tego tranzystora jest również typu MIS). Oba rodzaje tranzystorów (MISFET i TFT) mogą mieć kanał typu n lub p. Bardziej szczegółowy podział tranzystorów MIS będzie skomentowany w dalszej treści rozdziału.

Na rysunku 6.2 liniami grubymi zaznaczono najważniejsze rodzaje tranzystorów, tj. PNFET i MISFET. Tym tranzystorom poświęcimy najwięcej uwagi. Układ rozdziału przedstawiono na rys. 6.3.

Rys. 6.3

Schematyczn3' układ rozdziału