389 (14)

- 389

Tranzystor MIS

Rys. <5.25

Ilastraoje ładunków i potencjałów w strukturzo MOS dla trzeoh stanów: a) U as — Ufb; b) Uas = U_T; o) |f/csl > \V_T\

Uwzględniając przypis 1) na stronie 387 otrzymuje się wyrażenie znane z rozdziału 3 (wzór (3.94))

Tl —    $sr

u FB — <Pms £T"

Na rysunku 6.25b przedstawiono sytuację dla U_as = U_T. Wówczas UGs — U t — ⁽pl +2<Pf

co ilustruje rysunek z prawej strony. Napięcie <p_t jest w tym przypadku większe niż dla U_GS = U_FB o wartość — QbIG{. Zatem

U_T = Ufb-^+2'Pf