397 (14)

- 397

Tranzystor MIS

Rys. 6.30

Cztery modele statyczne o różnym stopniu dokładności (zaznaczone kierunki prądów dotyczą przypadku kanału typu p)

terystyki prądowo-napięciowej (równania (6.73) lub (6.75) dla zakresu nienasycenia oraz (6.76) dla zakresu nasycenia). Równanie (6.73) stanowi tu model czterokońcówkowy (trzy końcówki S, G, D są sterowane względem czwartej B), natomiast (6.75) — tzw. model trójkońcówkowy (dwie końcówki G, D są sterowane względem zwartych ze sobą S, B). Prąd bramki jest praktycznie biorąc, równy zeru (zwykle poniżej 1 pA), co umożliwia przyjęcie, że elektroda bramki jest rozwarta.

w postaci
7j> ^= I Ds.i +7sds	(6.77)
przy czym:
7dss = P | I g ~ Ut--{jr j UD	(6.78)
Isds - -p[uG-UT-^jus	(6.79)

Jeżeli korzysta się z modelu czterokońcówkowego, to wyrażenie (6.73) można przedstawić

Sens fizyczny równań (6.78), (6.79) jest następujący. Prąd I_DSs jest prądem drenu przy źródle zwartym z podłożem, prąd I_SDs jest prądem źródła przy drenie zwartym z podłożem (zamiana funkcji źródła i drenu). Na podstawie (6.77), (6.78), (6.79) można przedstawić model w^r postaci dwm źródeł prądowych (rys. 6.30b). Koncepcja dwu źródeł prądowych umożliwia również zbudowanie modelu tranzystora MIS w pełni analogicznego do modelu Ebersa-Molla dla tranzystora bipolarnego. Taki pseudomodel Ebersa-Molla przedstawiono na rys. 6.30c, przy czym a. = 1, ponieważ prąd bramki jest równy zeru. Diody przedstawione na rys. 6.30c mają znaczenie abstrakcyjne, gdyż nie istnieją w sensie fizycznym w tranzystorze. Posługiwanie się pseudomodelem Ebersa-Molla ma tę zaletę, że umożliwia korzystanie z typowych programów obliczeń opracowanych dla tranzystorów bipolarnych.

Jeżeli w analizowanym układzie istotne znaczenie mają nawet niewielkie prądy bramki i podłoża, to należy korzystać z modelu przedstawionego na rys. 6.30d, na którym elementy R_as, R₀₀ reprezentują upływności bramka-źródło i bramka-dren,