399 (13)

- 399

Tranzystor MIS

Rys. 6.32

Modele dynamiczne nieliniowo idealnego tranzystora MIS: a) pełny model czterokońcówkowy; b) uproszczony model czterokońcówkowy; c) model trójkoricówkowy (źródło zwarte z podłożem)

_n _ 3Qg ^Cgdl -

3Qg

C

gbi

8L\

GB

(6.81)

(6.82)

Chwilowe prądy bramki i podłoża są zatem prądami przesunięcia :

+ Cybi ■

• _ _r, dw_cs r<    du_{GD t} r1    du_GU

^lG ~ °gsi —--r O_gdi —^

— —C.

gbi'

dt

d Uq_B

di

di

di

(6.83)

(6.84)

Chwilowe prądy źródła i drenu są równe sumie prądu stałego i prądów przesunięcia :

i_D —

Id + Cgdi

d«GS

di

d Mgd d t

(6.85)

(6.86)

przy czym równanie prądów, uwzględniając ich rzeczywiste kierunki, ma- postać

⁼    (6.87)

Na podstawie tych zależności można zaproponować model elektryczny tranzystora w postaci przedstawionej na rys. 6.32b lub 6.32c przy zwarciu źródła z podłożem. Pojemności O_gsi, C_gdi, G_gbl są elementami nieliniowo zależnymi od napięć polaryzacji. Na rysunku 6.33a przedstawiono wykresy pojemności bramki i jej składowych w funkcji napięcia U_Gs, a na rysunku 6.33b pokazano zmiany