3 (2514)

3 (2514)



Dla generatora, w którym dobroć obciążonego obwodu rezc "sowego jest większa od 15, można przyjąć z dostateczną dokładnością, że częstotliwość drgań /0 określa wzór:

/o =


_1_

2n v/IĆ


(3.4)


Jeżeli wpływ tranzystora nie może być pominięty, np. w generatorze dużej mocy, to częstotliwość określa wzór

/o =


2u\[LC


^1 + h22eRL


(3.5)


gdzie: RL — rezystancja szeregowa odpowiadająca stratom mocy cewki obwodu rezonansowego.

Współczynnik sprzężenia zwrotnego można wyrazić wzorem

(3.6)


(3.7)


B =

f    Rl+}“L

gdzie M oznacza indywidualność wzajemną cewek. Ponieważ na ogół wL » RL, więc po uproszczeniu

p,.

f L Nx

gdzie Nv N2 oznaczają liczby zwojów.

3.2.4. Generator Hartleya

Konfiguracje oparte na tranzystorach pracujących w układzie WE przedstawiono na rys. 3.4. W układzie tym napięcie U sprzężenia zwrotnego jest pobierane z dzielnika indukcyjnego L,L2 (odczep cewki obwodu rezonansowego). Przyjmując, że L, i są indukcyjnościami obu części cewki oraz pomijając wpływ tranzystora na obwód, otrzymujemy częstotliwość generowanych drgań

/o = -7i-ł-....... (3-8)

2n ĄL^L^C

Współczynnik sprzężenia zwrotnego

(3.9)


U L.

P, = — » —

1 U I U2 ^2

a z warunku amplitudy otrzymujemy warunek na wzmocnienie tranzystora


(3.10)

Układ praktyczny g>. ratora Hartleya przedstawiono na rys. 3.4d.

Rys. 3.4. Generator Hartleya: a) schemat podstawowy, b) generator szeregowy, c) generator równoległy, d) układ praktyczny [1]


3.2.5. Generator Colpittsa

W przeciwieństwie do poprzednich generatorów może on być realizowany wyłącznie w wersji równoległej, ponieważ jego obwód rezonansowy jest obwodem z dzieloną pojemnością. Schemat generatora Colpittsa przedstawiono na rys. 3.5.

Rys. 3.5. Generator Colpittsa: a) schemat podstawowy, b) generator szeregowy, c) układ praktyczny


Częstotliwość generowanych drgań w przybliżeniu określa wzór

1


/o =


(3-11)


2 TC


L-


c,c2


N ci+c2


Współczynnik sprzężenia zwrotnego


|

E

;■

i

j

i


(3-12)

53


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
2011 12 20 35 33 Dobroć O wskazuje ile razy napięcie na indukcyjności lub pojemności jest większe o
CCF20091019004 144 PA, dla których tg 6 jest większy od 0,05). Pozostałe technologie wykorzystywane
Zdjęcie002 2 IŁtTAW 2 1.    Mięso, w którym nie doszło do zakwaszenia poubojowego: A.
71353 P1090449 144 PA. dla których tg 6 jest większy od 0.05). Pozostałe technologie wykoi^y^ wane s
FRAKTALE Fraktal, obiekt, dla którego wymiar Haiisdorffa-Besicovitcha (tzw. wymiar fraktalny) jest w
Przykład 1 Dla podanych liczb 3 i 4 program wczytał 3 liczby: 7,5 i 8 i wypisał numer każdej większe
2011 12 20 35 33 Dobroć O wskazuje ile razy napięcie na indukcyjności lub pojemności jest większe o
Image15 (12) Elektronika dla nieelektroników EdE Napięcie kolektor-em ter V<;fc [V] jest większa.
DSC66 (4) Obliczeniowe temperatury otoczenia Obciążalność prądowa długotrwała urządzeń jest zależna
DSC97 (5) Obliczeniowe temperatury otoczenia Obciążalność prądowa długotrwała urządzeń jest zależna
49322 Zdjecie2166 1.    obwód głowy Jest większy od obwodu Matki piersiowej
1 06 - 162 - Dla obliczenia Z2c należy do impedancji obwodu zewnętrznego odpowiadającej obciążeniu o
284 285 (4) Transformator wyjściowy stopnia powinien zapewnić oporność obciążenia obwodu kolektora d

więcej podobnych podstron