402 (17)

Tranzystory połowę

- 402

(0.92)

przy czyni: Gj₀ — pojemność przy zerowej polaryzacji złącza; U — napięoie polaryzacji złącza; ę_B — napięcie dyfuzyjne (typowe wartości dla krzemu 0,6...1 V).

Rezystory r_s, r_D, r_SB, r_Dg mają wartości rzędu kilkudziesięciu omów.

6.3.4

Praca z małymi sygnałami

Wszystkie uwagi wstępne, podane w p. 6.2.4, w odniesieniu do tranzystora PNFET, zachowują słuszność również dla tranzystora MIS.

Rozpatrzymy modele fizyczne dla małych i dużych częstotliwości, przy czym rozważania ograniczymy do przypadku modeli trójkońcówkowych (źródło zwarte z podłożem).

Model dla małych częstotliwości    6.34.1

Przechodząc od modelu wielkosygnałowego do modelu małosygnałowego należy rozłożyć w szereg Taylora funkcję I_D{U_GS, U_DS) i uwzględnić człony rzędu pierwszego przy określonym punkcie pracy (określone stałe napięcia polaryzacji)

6.35.

Jest to równanie identyczne z (6.46), a ponieważ postać analityczna charakterystyki prądowo-napięciowej tranzystora MIS jest również identyczna z charakterystyką tranzystora PNFET o szpilkowym rozkładzie domieszek, pozostają zatem słuszne wszystkie definicje i zależności podane w p. 6.2.4.1. Schemat zastępczy tranzystora MIS dla małych częstotliwości przedstawiono na rys.

Schemat zastępczy tranzystora MIS dla. małych sygnałów małej częstotliwości

6.34.2

Modele dla dużych częstotliwości

Podstawowy model dla dużych częstotliwości przedstawiono na rys. 6.36a, przy czym:

(6.93)

(6.94)

-pGqse

GgJ = G_gdi+C_gde

Komentarz do tego modelu jest identyczny jak w p. 6.2.4.2. Jest to model zadowalająco dokładny w zakresie do kilkudziesięciu magaherców.