Scan0016

1.5.2. Tranzystory połowę MOSFET

iiunzystor MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) jest przyrządem unipolarnym, w którym prąd przepływa przez strukturę tylko z udziałem jednego typu nośników ładunku - elektronów lub dziur. Wiąże się z tym odmienny .posób sterowania w stosunku do przyrządów bipolarnych, w których występują oba md/ajc przewodzenia prądu.

W tranzystorze polowym MOSFET prąd przepływa między elektrodami głównymi /wnnymi drenem i źródłem. Jest to przyrząd o sterowaniu napięciowym, do jego ii-mwania jest potrzebna bardzo mała moc. Charakterystyki wyjściowe tranzystora r\H )SFI P, obrazujące zależność prądu drenu/^ od napięcia dren-źródło U os dla róż n\fli wartości napięcia bramka-źródło Ucs, pokazano na rysunku 2.18. Gdy wartość napięcia bramka-źródło jest mniejsza niż napięcie progowe Ugs(0) (zwykle 5—7 V), wówczas tranzystor MOSFET znajduje się w stanie blokowania.

I )opuszczalny obszar bezpiecznej pracy (SOA) tranzystora MOSFET (rys. 2.18d) l< .! ograniczony następującymi parametrami:

n •. _s i im htm/y .loi pniowy (unipolarny) M( )SI• I I kanałem w/bogaconym typu N dian/>, i-i antpoltiiin normalnie wyłiji zom ) a) symbol gralie/ny. h) charaktery styki wyjnciim. In - ii I i illa imuych w ubogi i /,■. ci » hatal mi y utyku pi • r > jo\va //. li / ^,u i tli olr mi

c |-.l- atj piin v InaizyMora | IN)

> a -- H o - Mant ■. |ii\ w ja/t njt * sinMt iii pi/. '• tttl/t ulu M* ^,!<l I I, oha/yi ihU ic. ja inipim buta lasu< i btiikiiwafMa napiteia »i|w/ar ałi, ¹ u, ale »i*»t\ * ?. «Fialmtia ląt z#nju^u cyt < pi / •, i żąda

nudnym prądem drenu

; , nmlnymi stratami mocyP_tot wydzielanymi w strukturze półprzewodnikowej; iiiulnym napięciem dren-źródło Uosm-dx-

ylędu na duży obszar bezpiecznej pracy (SOA) w tranzystorach MOSFET, i .ości przypadków ich stosowania w układach przekształtnikowych nie są .. .mi obwody odciążające.

ioi połowy MOSFET ma bardzo dobre właściwości dynamiczne. Wynika j nu ze przy przełączaniu przyrządu unipolarnego występują tylko ładunki iowe. Przebiegi napięć i prądów związane z załączaniem (w czasie r_Gn) iinrm (w czasie f„if) tranzystora MOSFET przedstawiono na rysunku 2.19.

i ■=    i run/ystoi połowy

... i MOSFET:

o ijMyi m sterującego li) pi zabiegi napie-i |uijiin in(i) / zazna-s ami przełączania; tt IO/liyCll Stt|-Ii hi V iii u u | IK |

« i. • .< i pi/rląr/ni tranzystora MOSFET umożliwiają jego działanie w ukła-dD .. m i,u li /bli/onych do I Ml Iz. Straty mocy w stanie przewodzenia tran-i_: i .1 I i .'iiin /mc szybciej przy wzroście znamionowego napięcia bloko-:•••• iiiutiti i imn/ysloruiui ICJBT. Dlatego przy napięciach przekraczających liii. j j. .1 tusownć u ukludm h przekształtnikowych tranzystory IGBT. miii, j m nic i. \ i. u i» 11 w .1111110 pi zawodzeniu, przy jednoczesnym wpm ... tn>id\ likiio. ans cli obudów o dużej gęstości upakowaniu, rokuje w przy _; u -n ■ mi i o tmn/v Motóss pojow \ > !i Mt >M l l w pojazdach smutK liodow \ i h