9458228627

Tranzystor MOSFET (metal-oxide-semiconductor FET)

Najważniejsze parametry to transkonduktancja (transfer admittance) g_m (S), R_DSon, U_GSth, czasy włączania i wyłączania oraz parametry graniczne: U_DSmax> l_Dmax> U_GSmax. Typowe U_GSmax to ±15...±20 V, typowe R_DSon to 0.03...30 Cl.

Konstrukcja

D

Kanał

oJ- _

Izolatorl-Si0₂ I s

MOSFET z kanałem zubożanym

Symbol

4

Obwód elektryczny z Podłoże tranzystorem polowym

•_______hr

U    o

Udd