346 (24)

- 346

Tranzystor bipolarny

Współczesne tranzystory mikrofalowe są to prawie wyłącznie krzemowe tranzystory n-p-n o strukturze epiplanarnej. Mają one najczęściej „międzypalczastą” strukturę geometryczną (rys. 5.73), która umożliwia uzyskanie minimalnej powierzchni emitera i małej wartośoi rezystancji r_bh'. Parametry tranzystora mikrofalowego

C

Rys. 5.73

Struktura międzypalczasta tranzystora mikrofalowego małej mocy

Rys. 5.74

Typowe obudowy tranzystorów mikrofalowych

bardzo istotnie zależą od sposobu wykonania obudowy i końcówek. Chodzi o to, by pojemności pasożytnicze i indukcyjności doprowadzeń były jak najmniejsze. Typowe rodzaje obudów pokazano na rys. 5.74.

Tranzystory mocy    5.12.3

Uzyskanie dużej mocy rozpraszanej przez tranzystor⁰ stanowi niemały problem, którego trudność szczególnie wzrasta, jeżeli jest wymagana zarazem duża wartość częstotliwości granicznej. Dlatego można mówić o dwu klasach tranzystorów mocy: dla małej i dla dużej częstotliwości. W zakresie małych częstotliwości za kryterium dużej mocy przyjmuje się P_a > 10 W lub bardziej ogólnie wartość oporu cieplnego 2?_(fty__c < 15° C/W. Moc admisyjna (rys. 5.75)

rr _rp

p_a =    ^Jc    (5.229)

ftihj-c

przy czym: T_Jmax — maksymalna dopuszczalna temperatura struktury półprzewodnikowej ; T_c — temperatura obudowy (indeks c od ang. case — obu-

¹⁽ Uzyskanie dużej mocy rozpraszanej przez tranzystor nie jest celem samym w sobio, gdyż ideałem byłaby taka praca tranzystora, przy której cala moc wydzielałaby się w obciążeniu przy zorowych stratach w samym tranzystorze. Jednak rzeczywiste układy nigdy nie mają 100% sprawności energotycznoj, co oznacza, że zawsze część mocy jest tracona w tranzystorze. Przy określonej sprawności układu wartość bezwzględna mocy wydzielanej w obciążeniu jest ograniczona przez dopuszczalną moc rozpraszaną w tranzystorze.