CIMG5124

40 Podstawy mikroeiektrontki

10. Projektowanie inwertera CMOS

Rozdział niniejszy jest poświęcony nauce sposobu projektowania układów scalonych na przykładzie mwertera CMOS Nauczymy się jak projektować elementy komórki, w szczególności poszczególne jej warstwy. Nauczymy się jak symulować mwerter i w jaki sposób przyłączać źródła zasilania i sygnały ukłathi.

!nwerter CMOS zbudowany jest z 2 tranzystorów. Jeden jest tranzystorem z kanałem typu N (NMOS) drugi z kanałem typu P (PMOS). Symbole obu tranzystorów są przedstawione poniżej. Aby utworzyć in werter NMOS i PMOS są połączone jak to pokazano na Rys. 34.

ftMOS

Wejście

Symbol bwś/fera

pMOS

	NPN Vdd(3V)	V«(0V) ayj
SymMe etememów		1
	rc|rf	a
Wejście	| wyjście
		a
Schemat ińwertęra		i

Aft 34 Schemat elektryczny innertera CMOS.

10.1. Tranzystory

Postępując według poniższego opisu możemy zaprojektować ręcznie strukturę tnwertera Na początku okno robocze programu jest puste. Kolorowa paleta z dostępnymi warstwami nnwłrry¹^ jest w prawym, dolnym rogu ekranu. Podświetlona jest warstwa aktualnie używana. Początkowo zaznaczona jest warstwa polikrzemowa (polysilicium). Proces projektowania rozpoczyna narysowanie polikrzemowych bramek.

O Ustalamy pierwszy narożnik prostokąta przy pomocy myszki.

© Przytrzymując wciśnięty klawisz myszki, przesuwamy ją do przeciwległego narożnika prostokąta.

O Zwalniamy klawisz myszki. Pojawia się prostokąt reprezentujący ścieżkę polikrzemową Szerokość prostokąta polikrzemowego nie powinna być mniejsza niż 2 A, który to wymiai jest szerokością minimalną określoną przez technologię.

1

Rys. 35. Utworzeni* prostokątną ieteih pohknemontj

Następnie rysujemy dwa dodatkowe prostokąty jak to pokazano na rysunku Rys. 36. Należy zachowi minimalną sz&okość ścieżki polikrzcmowej | co najmniej 2 A.