CIMG5125

42 PODSTAWY MIKROELEKTRONIKI

Mys 36. Utworzenie ścieżki po li krzemo* ej r 3 prostokątów.

Zmieniamy na palecie warstwę na dyfuzję N+. W tyra celu klikamy na poziomie Diffusion N+. Rysujemy prostokąt dyfuzji N+ na dole rysunku tak aby przeciął polikrzem jak to pokazuje Rys. 37. Obszary dyfuzji N+ są otoczone zieloną ramką. Przecięcie dyfuzji z polikrzeraem tworzy kanał tranzystora NMOS.

Myt. 37. Utworzenie tranzystora NMOS i PMOS

/jmemamy warstwę na dyfuzję P+ klikając na jej nazwie na palecie. Rysujemy prostokąt dyfuzji P+ w górze rysunku przecinający warstwę polikrzemu, jak to pokazano na rysunku Rys. 37. Pola dyfuzji P+ są

wypełnione zielonym kreskowanym wzorem. Przecięcie dytu/ji z polikr/emem tworzy kami mrynkn PMOS.

Zmieniamy warstwę na wyspę N klikając na jej nazwie na palecie - N Weil. Rysojemy wy«pę V całkowicie otaczającą dyfuzję P+. Reguły projektowania nakazują aby wykraczała om co lajnntj O z każdej strony dyfuzji P+. Reguła ta jest zachowana na Rys. 38.

Rys 38. Utworzenie wyspy otaczające) tranzystor z kanałem typu P i dyfuzję P* co mą/mmej 6 i z każdej strony

10.2. Kontakty i połączenia metaliczne

Obszary dyfuzji N+ i P+ nic mogą być bezpośrednio ze sobą połączone. Łączy się je za pośrednictw em metalowej ścieżki. Objaśnimy w jaki sposób wykonać takie połączenie. Poziom metalizacji jest izolowany od poziomu dyfuzji za pomocą grubego tlenku krzemu - SiOj. Poziom kontaktu służy do przebicia otworu w tlenku aż do poziomu krzemu tak aby połączyć metal z dyfuzją. Wymiar kontaktu jest zawsze ustalony w danej technologii i najlepiej umieścić na topografii gotowy kontakt z palety, widocznej na ekranie (Rys. 39). Możemy wybrać z niej bezpośrednio kontakty zaprojektowane zgodnie z regułami projektowania.