CIMG5119

30 Podstawy mikroeuktromki

9. Edycja topografii (layout) i symulacja układu scalonego

Program Mnowad, zintegrowany edytor topografii i symulator układów scalonych uruchamiamy przez kliknięcie jego ikony aa pulpicie, leżeli ikony aa pulpicie aie ma. postępujemy według poniższej procadmy

•    Otwieramy katalog w którym najdy się program (domyślnie F AMtcrowmd)

•    Przeciągamy ikonę prograam aa palpit

Przed rozpoczęciem rymwmaa topografii układu należy wytrać technologię, w której będziemy pracować. W tym oda wybieramy z menu Fik pozycję Selea Faundry* a następnie w pojawiającym się okienku dialogowym wybieramy odpowiedni phk technologie zny (Ryt. 19).

fyu.19

W Równym oknie programu widzimy walkę, która pokazuje skalę rysunku Wszystkie wymiary rysunku aa podane w całkowitych widofaomościach X, W niektórych edytorach stosuje się wymiarowanie w

mikrometrach. Zastosowanie wymiarem arna /. poznali na wykooyuaaa: rywount berdzug ■irnif'T;-t od użytej technologii- Od ponad dziesięciu lal ■Mnitnabia długość bramki wynot: 2 /_ db procesów technologii CMOS- Podobnie minimalna szerokość ścicziu metalowej »)aos 3 /.

Bezwzględna wartość X w mikronach zależy od technologii- Zawsze aalrry piasta . wykom technologii przed rozpoczęciem pracy z programem Micro w md'

Ays. 20- Ohafbuarpnwi Idrrawśad

Postępując według procedury podanej poniżej, możemy narysować projekt masek tranzystora

Klikając na ikonie H uruchamiamy narzędzie służące do rysowania prostokątów. Nasagne z palety pJ prawej stronic wybieramy połisilictum (krzem polikrystaliczny) oraz

O Umieszczamy kursor myszy w narożniku projektowanej bramki i przyciskamy lewy kła wis myszy.

0 Przyciskając cały czas klaw isz myszy przesuwamy kursor do przeciw ległego nam>mk|

• Zwalniamy klawisz myszy Na ekranie powinien pojawić się prostokątny obszar połikrzcmow jak na Rys 21. Szerokość bramki me powinna być mniejsza niż 2X.