DSC00303 (11)

4 Eltklfomof ncljrim

4 Eltklfomof ncljrim

o

Półprzewodniki domieszkowe (niesamoistne)

; kryształów bardzo silnie wpływają

\_: własn«"i.< dcktiycznc    ........

donitcs/ki i defekty budowy krystalicznej. np dyslokacjo—

Półprzewodniki typu n

Domieszki piątej grupy układu okresowego (P A.vSb) zmic mają strukturę półprzewodników czwartej grup) (Si, ) z c ry sposriKi pięciu elektronów walencyjnych atomów arsenu, biorą ud/iaf w wiązaniach kowalencyjnych / czterema sąsiednimi atomami germanu Piąty elektron, słabo związany z jądrem swego atomu nawet w temperaturze nizszej od pokojowej może zostać łatwo oderwany Znacznie słabiej związany z jądrem swego atomu zajmuje wv/tj leżący poziom, tuz przy paśmie przewodnictwa Wystarczy meduza energia wzbudzenia (aktywacji) f -£ - 0 054eV dla oderwania elektronu od atomu domiesz-

4

ki tzw donorowej i przeniesienia elektronu z poziomu donorowego ktor> pojawił się w przerwie energetycznej, do pasma przewodnictwa Oderwany elektron staje* się swobodnym nośnikiem prądu Wpływ domieszek zaznacza się juz przy kilku atomach domieszki na milion atomow materiału podstawowego Półprzewodnik domieszkowy tego rodzaju nosi nazwę półprzewodnika typu n W półprzewodniku typu n możliwe jest tez przewodnictwo dziurawe w paśmie podstawowym w wyniku przejść u pewnej lievbv elektronów / pasma podstawowego do pasma przewodnictwa Jednak w temperaturze pokojowej i temperatu r.ieh niezbyt wysokich koncentracja dziur w półprzewodniku typu //jest dużo mniejsza ikI koncentracji elektronów przewodnie-twa gdyż energia wzbudzenia dziur (szerokość przerwy / ) bywa

prawic o dwa rzędy większa tnl energii wzbudzenia elektronów

z poziomów donorowych

#

Półprzewodnik typu p

Domieszki atomow trzeciej grupy (B Al In) w półprzewodniku!) e/waricj grup\ ((>e. Si) na/ywainy domieszkami akceptorowe ni i (akceptorami). Tr/y elektrony walencyjne atomow domieszki. tworzące wiązana kowalencyjne z trzema sąsiednimi a łomami mcci podstawowej oraz elektrony walencyjne atomow lei mcii, / ijmujj poziomy pasma walencyjnego Czwarte wiąza-^n,L' ^n,c '"l^ lnione Aby to wiązanie zaszło, atom domtes/ ki może pr.auhwuK elektron z sąsiedniego atomu materiału p.HlM iw,nu co Przechwycony elektron będzie -f.ihicj związane / domieszką i dlatego /.umie odpowiednio wy/sze od p ,_sma p-sKtiwowcgo po/iom tzw akceptorowy Przechwycone prze' ikmncs/kę , zw,„my z mą elektron mc mo/c uczcstmczec w pr/cwo«fawwK , porostawia on jednak dziurę _tt p**,* _WJ. u n.s ,ny m / ktńrego /„Mai wzbudzony Dziura z kok. moze Kc - tpclnion, prze z elektron z następnego sąswdmego atomu cer nk.nu Energia wzbudzeń,. £ -/ .UWe\ ,_Cst duzo mnujsza "d p¹. er»s energetycznej Przewodnictwo dziuro** p,a _H „ , przem^zanm My w krev, de n«wypclnK_Wgow,a/a.„a m-c dz* atomami materiału podstawowe co    *

Pt/iss.KłnKiwoclektne/nepołprzewodrak** które _K-st zw,,

** ' ***"“"« ^W/łHKłA'^,n™ pasma pr/ewcKln, ,1

^P.....^....    w pe*j«/« ^    ^ _u

ram. powstabmi w wymku w/bud™ ekHttrooow z .,_JM„ , * -^;nego na poKvo,v bf.^o £ por, nn akcept,^ w

na.-wępr/eweidiłKtnndooucszkowego

•4 J

ckiktron

tvHhm.irc«ft

Model skci irvMó!k si.Ce.nr i JomtesAo* jnego arv ?H.m - |s»łpr/i.Abt Klitka typ

J

S" »ł|\*ei ck-K »*m

- - PlkKw

P.IV|łł,» vy (

Schemat struktury tksttor*-**, półprzewodniki typu m

9«5

Id

4