ektryczny. Polega na wzrośclo lktywności pod wpływom oświetlenia ci promieniowaniem HM.
. Opis zjawiska
jżell próbkę materiału jak na Rys. |v oświetlić promieniowaniem HM o ,ości fali X spełnląjącej warunek:
[ic WK - szerokość pasma zabronionego
!_!_I_ 1............i.,;i ............l ■ ■ V' I
nośników 1 generacji mc
gdzie Cn promieniow Przyrost ko zmianą k (elektronów
Łącząc wyr
uli /vimit.' <