DSCN1463 (3)

5. TRANZYSTOR BIPOLARNY

5.1. BUDOWA TRANZYSTORA I ROZPŁYW PRĄDÓW

Nj/wj tranzystor »>>iodri s*ę * jeżyka angielskiego: TRANSfcr mlSTOR. co ęo polsku oznacza elemenr transformujący rr/ysiancjc. Tak narwano piet »U7 półprzewodnikowy element wzmacniający. będący funkcjonalnym od po wiedrnkiem lampy próżniowej (triedy) ttikrycia dokocuno w IW r.*\ Ter-ran Npołamy oznacza. Zr istccną redę w działań, u lego pc?) rządu oj£ry*oj* ffiStHK/cinic oba rodzaje nośników (dziury i elekirooy).

Tranzystor jest «o r rój końcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego • zmiennego. KaZdy tranzystor jest za-icm u/mjciuaczcm'

Na r> wnkw 5.1 przedstaw iooo dwie struktury tranzystora bipolarnego różniące s* kolejnością umiejsców icnia półprzewodnika o określonym łypie n lub p. Jak widać. możliwe ią dwie kombinacje: tranzystor lypu o p-n i p n p.

R>s 5 I D«k urUiuy i/iv>tiui Kpotarorfo i ich i)irh)k (kklf)(nx (Wmowmr u wfcrnuuch) a) rranryiśor n p n b) tranzystor pn-p 118| Uwaga. Sjnbołe traarysteró* *c miszą być unicwrwK w okrętu

Korków ki tranzystora nazwano: R - emiter. B - baza. C - kolektor. Takie ramę nazwy noszą obszary (warstwy) półprzewodnika sąsiadujące ze sobą » jego strukturze Rmiter jesi pierwszy warstwą, która dostarcza nośników

jpfcjtfoteKmycl. (etratuK) do drug^j waruwy. i> bw/y W Kartę pf/eKrgjią po^cjwv'A< (bazowe) petKrty trammasp Nammuu trzecia •mu«i - kolek lor - zbiera le iwioili, które rosiały wstr/yVn<«e z mutro do Kary . zdołały faĄiwr.¹ do kcdektoca

Tranzystor mi d«a /ląc/a p n Są lo zląc/a banem*er (rląc/e 11 B) i bu* kolektur (/ląc/e B C>

Pierwsze tranzystory predwkow *ne na matów ą skale były stopowe¹ \OmraldC ryzowały S< rófWBCeśrniym rozkładem koncentracji doawei/ck w bazie Były to latem tranzystory z jednorodną bazą. zwane lei tranryucuarm be/dryftowymt Współcześnie wytwarzane tranzystory wykonywane są teebnołogią planarną²*. Mają coc nierównomierny rozkład koncentracja d. mieszek w tuzie. co tisocnic wpływa na działanie i właściwości tych tranzystorów Są to tzw uan lyttcry z niejednorodną Każą. zwane leZ Iran/yUocamt dryftowymi

Na rysunku 5.2 przcduawtcmo rozkład koncentracji domieszek w tranzystorze stopowym (bczdryftowym) i planarnym (dryftowyml Otwe technologie umożliwiają wytwarzanie tronzy sterów zarówno pn p. jak i n*p-n. lecz naj cz<tciej tranzystor stopowy germanowy był typu pnp. i krzemowy planarny jest typu n-p-n Najistotniejszy jest różny rozkład kcocentracp dcxmeszck w obszarze bazy obu tranzystorów. Koncentracja jest stała <jednorodna) dla tranzystora stopowego, a malejąca (niejednorodna) dla planarnego

Rys. 52 Kcutiad U«vt«r»C}i dcorort w truv>s*ce/r    tai i

Rka * *d N_a. S₀ - lonretnHja dxr^wrk «łwn»)\k S_A - koncmracja doourizek

akcnwzrcmyih

Sens fizyczny zjawisk zachodzących w pulprrcwtdmku niejednorodnym itetnzje poglądowo rys 5.3. na którym pokazano rozkład koncentracji domieszki akceptorowej N_A » dziur p (baza tranzystora dryfłowegok Na rysun-

^u Odbytu dckcoali ■ Sunxh Zjednoczonych i Bardom i W II Brwum. iotk Kor* » riudhiu 1947 r. a cfwbłitowama k> w I94S r W. Shoekky w \9U roku przeduawit lecnę dsułM uanzysiora W 1957 r zespołowi Baideen Buc tam i Shorlley pnymy* nagrodę NoUa

* NalrZy /wtóoC uwj/ę u drfu«jc wzmacnuc/a. fdyl w pl au wbrew pozorom KmAu. j rmanowsor .Wzmacniacz jrsi przyrządom (arząd/emem) umożliwiającym cerowa me wtękurj mocy mniejszą «i*xą".

’* Tniuysior sseęvwy oryskajr są pąezr* stepne t <Swfc uroń • k/ysnal pOłpcrewodroka

o ckzrUonjm t>p< p/o*oduct»i maaeruhi o przeciwnym t>tw pr/ewtdrowtwa. rp w pCZpur •odnsk za*ier«jąfy d.xwewlę akcrpcoro* ą ipCdpr.-ewcdnk    P' '•sąHam mc pćłprrewudwk

u**ra»*y dcMMeszkę ócmcrmą tpMre/e»\drsV t>*u a.l

⁷⁹ Tohcwkjfsa [i«wiu imacie) fiauczyznowa) tbe/mmjt toęśi prucrsdw tcttmctogKt ■ych. w kaflrych zanve oyskpiją trzy jołuiw operacje masiowaroc podkua kirrm> •ego waruwą druku SiO^ focduografia i demueszkowame kkalne |lll

40

41