260 (43)

- 260

5.5

Tranzystor bipolarny

Współczynnik wzmocnienia prądowego a_v

Znając rozpływ prądów w tranzystorze (rys. 5.14) można określić zależność współczynnika wzmocnienia prądowego a_iV od parametrów materiałowych i punktu pracy.

Z definicji

Podzielmy licznik i mianownik tego wyrażenia przez I_nB (I„_E jest prądem elektronów' na początku bazy, tzn. na prawej krawędzi warstwy zaporowej złącza E-B)

^v-n — -j— -j—    (5-32)

^JnE ¹E

Wprowadzamy dwa współczynniki charakteryzujące właściwości wewnętrznej struktury tranzystora:

a._e = /_nK//_£ — współczynnik sprawności wstrzykiwania emitera, określający, jaką część całkowitego prądu emitora stanowi strumień nośników wstrzykiwanych do obszaru bazy;

<x₆ = J_c//_nE — współczynnik transportu (nazywany również współczynnikiem rekombinacji w bazio), określający, jaka część strumienia elektronów wstrzykiwanych do bazy jest odbierana przez kolektor.

Zatem

a._v = cc_ea._b    (5.33)

Na rysunku 5.20 przedstawiono rozpływ prądów identyczny jak na rys. 5.14, lecz z uwzględnieniem wprowadzonych współczynników. Od jakich parametrów materiałowych zależą współczynniki a_e, a_b ?

<>B

Rys. 5.20

Rozpływ prądów w tranzystorze (strzałki wskazują konwencjonalny kierunek przepływu prądu, czyli są zgodne z kierunkiem strumienia dziur, a przeciwne do kierunku strumieni! elektronów)