338 (32)

Tranzystor bipolarny

Stąd wzmocnienie mocy

1

4n>r ^rbb' Cyc

M^w) =

■C

Ponieważ a>_r = |/?(w)[w, zatem

7    7    \    ^<Ur    ^

«_P « = -r~2 -7T~

4co² r_bb'C_JC

Podstawiając k_p = 1 otrzymuje się (Ot

-V

^^rbb- Cjc

(5.202)

Posługu jąc się definicją maksymalnej pulsacji generacji (o_max w prosty sposób można przedstawić zależność wzmocnienia mocy od częstotliwości

h_p{o>)

(5.2(

Jest to zależność słuszna tylko w zakresie dużych częstotliwości (dla <o }> > ftW) |/*p(0), w którym l_p (w) maleje 6 dB na oktawę.

Częstotliwości graniczne — definicje techniczne

5.10.2

Definicje częstotliwości granicznych, przyjęte w technice, wynikają konsekwentnie z rozpatrzonych właściwości fizycznych tranzystora. Dlatego w tym punkcie wymienimy bez komentarza pięć definicji (rys. 5.71):

Kys. 5.71

Charakterystyka częstotliwościowa modułu współczynnika wzmocnienia prądowego ||J z zaznaczonymi częstotliwościami granicz* nymi

/_a — częstotliwość, przy której moduł zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego |«(/)| w układzie WB maleje o 3dB, czyli do poziomu a/j/2, przy czym a jest wartością a (/) dla / -> 0;

fp — częstotliwość, przy której moduł zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego |/?(/)| w układzie WE maleje o 3 dB, czyli do poziomu jjy 2, przy czym ji jest wartością /?(/) przy /-> 0;

fr — iloczyn częstotliwości i modułu współczynnika wzmocnienia prądowego \fi (/)[ zmierzony w zakresie f > fp (w zakresie liniowego spadku modułu |/?(/)| w funkcji częstotliwości);