Mówi się w tym przypadku o „nadmiarze fazy”, który wynosi (57°+6° • 7/)—45° = 12°+6° • tj
(5.156)
Nadmiar fazy oznaczmy przez mh i zapiszmy go w radianach mb = 0,2 4-0,1 y
Do wyrażenia (5.151) można łatwo wprowadzić czynnik uwzględniający nadmiar fazy (tzw. poprawka fazowa)
(5.157)
a;(jai) =-—-e-K^Ku
Zatem
Sens fizyczny nadmiaru fazy wyjaśnia częściowo rys. 5.66. Należy zauważyć, że w przypadku samego unoszenia nośników' w bazie (bez dyfuzji i z pominięciem rekombinacji) prąd kolektora jest opóźniony w stosunku do prądu emitera o czas przelotu tb (daje to określone przesunięcie fazowe) bez osłabienia amplitudy. Ponieważ częstotliwość graniczna toai jest definiowana nie jako częstotliwość odpowiadająca przesunięciu fazy o tc/4, lecz jako częstotliwość odpowiadająca osłabieniu amplitudy sygnału o 3 dB, jasne jest zatem, że przy braku osłabienia coai —> oo, czyli stała czasowa rb = 1 jojai —> 0, a przesunięcie fazowe ipoo przy u) -c oo (jest to oczywiście bardzo wyidealizowany obraz, w którym pomija się 'wszelkie inne zjawiska poza unoszeniem).
T(,<§ tb
Stąd należy wmioskować, że przy udziale unoszenia i dyfuzji również stała czaso-wa będzie mniejsza niż czas przelotu nośników przez bazę, czyi i przesunięcie fazowe sygnału będzie większe, niż to -wynika z jedno biegunowej funkcji przenoszenia. Okazuje się, że nawet w tranzystorze bezdiyftowym dokładne rozwiązanie równania transportu daje rb < tb, czyli konieczne jest wprowadzenie poprawki fazow-ej. Należy'- więc zauważyć, że proste wyrażenie na a, (jco) w postaci funkcji jednobiegunowej (5.151) wyprowadzono przy' założeniu Tb = tb, dlatego nie ma w tym wzorze poprawki fazowej i za rb można podstawiać wcześniej wyprowadzone wyrażenia (5.43), (5.45) lub (5.47) w zależności od rodzaju tranzystora. Natomiast do dokładnego wzoru na a,- (jco) w postaci (5.157) należy podstawić 1 /a>xi < tb, przy czym najczęściej stosuje się następujące zależności:
— dla tranzystora bezdryftowrego
—• dla tranzystora dryftowego
(5.159)
Stała czasowa warstwy zaporo w-ej złącza emiter-baza
Konduktancja dynamiczna złącza emiter-baza spolaryzow-anego w kierunku przewodzenia jest bocznikow-ana przez pojemność warstwy zaporowej tego złącza Cje. Mamy tu do czynienia z prostym obwodem równoległym reh>, CJe (rys. 5.68),