Image088

Bramka w stanie O

Rysunek 4.3a ilustruje rozkład napięć i rozpływ prądów w bramce, gdy na wszystkie wejścia są podane sygnały 1, tj. gdy wyjście bramki jest w stanie 0. Jeżeli na wejście bramki podany jest sygnał 1, to pobiera ono prąd o wartości

Rys. 4.3. Rozkład napięć i rozpływ prądów w bramce I-NIE (NAND)

a) dla stanu 0 na wyjściu, b) dla stanu 1 na wyjściu

co najwyżej 40 jxA (złącze emiterowe tranzystora Tl jest wówczas spolaryzowane w kierunku zaporowym). Złącze kolektor-baza tranzystora Tl jest spolaryzowane przez źródło zasilania U_cc i rezystor /?, w kierunku przewodzenia, a zatem potencjał bazy tranzystora Tl jest większy niż potencjał kolektora o spadek napięcia na złączu baza-kolektor i wynosi około 2 V. Do bazy tranzystora T2 wpływa prąd /_B2 = /_B1+n/j gdzie: n — liczba wejść bramki.

Tranzystor T2 jest wysterowany do stanu nasycenia. Prąd emitera tranzystora T2 płynie częściowo przez rezystor R_s i częściowo do bazy tranzystora T3, będącego w nasyceniu. Napięcie bazy tranzystora T3 jest równe sumie spadków napięć U_CEnas tranzystora T2 i U_DB tranzystora T4, natomiast napięcie emitera jest równe sumie napięcia U_CEnas tranzystora T4 i spadku napięcia na diodzie D — spolaryzowanej w kierunku przewodzenia. Napięcie bazy tranzystora T3 jest równe napięciu emitera, dlatego tranzystor T3 nie jest wysterowany.

W tych warunkach tranzystor T4 może przewodzić prąd o natężeniu do 16 mA bez obawy przekroczenia na wyjściu napięcia 400 mV. Typowa wartość napięcia wyjściowego bramki będącej w stanie 0 — przy prądzie 16 mA — wynosi 220 mV.

Bramka w stanie 1

Rysunek 4.3b ilustruje rozkład napięć i rozpływ prądów w bramce, gdy przynajmniej na jedno z wejść zostanie podany sygnał 0. Prąd I_lL składa się z prądów Ig i /₂. Dominująca jego część (/_B) płynie ze źródła zasilania przez rezystor 2?! i złącze baza-emiter tranzystora 27. Ponieważ maksymalna wartość prądu l_1L wynosi 1,6 mA, zatem bramka w stanie 0 może być obciążona 10 bramkami. Potencjał kolektora tranzystora Tl, większy niż napięcie wejściowe U_1L o wartość napięcia U_CEnas, wystarcza do zatkania tranzystorów T2 i T4. Tran-

98