DSCN2182 (2)

- domieszkowanie donorowe - półprzewodniki typu n.

W procesie tym stosujemy metale alkaliczne takie jak np. Li, Na, czy też K w postaci nadchloranów. Metale te mają zdolność do przenoszenia swoich elektronów do pasma przewodnictwa polimeru, a nowo powstałe pasmo donorowe położone jest bliżej pasma przewodnictwa. Całą tą sytuację dobrze obrazuje poniższy rysunek:

W wyniku takiego procesu domieszkowania otrzymujemy półprzewodnik typu n. Elektrony z nowopowstałego pasma donorowego mogą przy niewielkim nakładzie energii przenosić się do pasma przewodnictwa dzięki przewodnictwo właściwe domieszkowanego materiałów jest większe niż materiału nie domieszkowanego w domieszkowanego tej samej temperaturze

- domieszkowanie akceptorowe - półprzewodniki typu p Tego typy rodzaj domieszkowania jest najczęściej wykorzystywany w przypadku polimerów. Zaletą tego procesu jest łatwość jego przeprowadzenia. Substancjami stosowanymi jako domieszki mogą być AICI3, FeCh, ZrCU, SbFs, AsF₅, Br2, I2. Związki te mają zdolność do wyciągania elektronów z łańcuchów polimerowych. Po procesie domieszkowania w przerwie walencyjne pojawia się dodatkowe pasmo akceptorowe, położone bardzo blisko pasma walencyjnego. Tak jak w półprzewodnikach typu n, tutaj też elektrony aby zwiększyć swoją swobodę pokonać muszą mniejszą barierę energetyczną. Nie muszą już przeskakiwać do pasma walencyjnego, położonego daleko, tylko mogą przenieść się do bliżej położonego pasma akceptorowego. Całą sytuację obrazuje poniższy rysunek:

Ir		—i
			pasmo przewodnictwa
	CU3		pasmo akceptorowe
		EJ	pasmo walencyjne

Z tego typu domieszkowaniem mieliśmy do czynienia w tym ćwiczeniu. Ogólnie reakcję domieszkowania naszego polimeru zapisać możemy jako,

31₂ +[C/>] -> 21; +[CP]²*

lub też:

51₂ +[CP]->2i; + [C/>]²⁺

W tego typu półprzewodnikach (półprzewodniki typu p) za transport ładunku zależny jest od ilości powstałych dziur w paśmie walencyjnym. Nadal transporterami są elektrony, ale przy większej ilości powstałych dziur mają one większa swobodę ruchu.