DSCF6612

180

r

Stosunek małej zmiany napięcia baza-emiter do odpowiadającej j_ej zmiany natężenia prądu, przy stałym napięciu C/_KE, nazywa się opornością wejściową tranzystora:

(3)

r IB

dI_B

Inną ważną cechą jest zależność prądu kolektora I_K od prądu bazy badaną przy stałym napięciu kolektor-emiter U_KE:

(4)

/k - 4 (4)_t/_Ki!=conn

Rys. 58. Zależność prądu kolektora od    Rys. 59. Zależność prądu kolektora od

prądu bazy    napięcia kolektor-emiter

Stosunek przyrostu prądu kolektora do przyrostu prądu bazy, mierzony przy stałym napięciu na kolektorze, nazywa się współczynnikiem wzmocnienia prądowego /?:

w

t^/KB^=consl

(5)

Zależność prądu kolektora od napięcia między kolektorem i emiterem, badaną przy stałym prądzie bazy, nazywamy charakterystyką kolektorową (wyjściową) tranzystora:

p — 4(^ke)

%

— eon sl.

(6)

Opornością wyjściową nazywa się wyrażenie:

^riryj.

l=cac*.

i

j pomiary _v Charakterystyka prądowo-napięciowa diody

Pomiary polegają na zbadaniu zależności natężenia prądu płynącego pn diodę od przyłożonego napięcia, dla przypadku włączenia diody , kierunku przewodzenia i zaporowym (rys. 60a i 60b).

Rys. 60. Badanie charakterystyki diody w kierunku przewodzenia (a) i zaporowym (b) b. Charakterystyki statyczne tranzystora

Rys. 61. Badanie charakterystyki statycznej tranzystora

Po zbudowaniu układu wg rys. 61 należy ustalić wartość napięcia kolektor-emiter (7ke> ^a zmieniając napięcie między bazą i emiterem lig odczytywać natężenie prądu bazy I_B oraz natężenie prądu kolektora t Pomiary należy powtórzyć dla innej ustalonej wartości U^.

W celu otrzymania charakterystyki kolektorowej należy ustalić prąd bazy J_g, a zmieniając napięcie (/_KE odczytywać natężenie prądu I_K. Pomiary powtarzamy dla innej ustalonej wartości I_B.