DSCN5402 (2)

DSCN5402 (2)



Pamięć podręczna złożona z 8 bloków (linii) - w różnych konfiguracjach

One-way set assoc<atlve (direct mapped) Błock Tag Dala

— .„r.——*■j_

Two-way sat associatlvt Tag Dala Tag Data

-1

1

*

_u


o

Four-way set a9sociative Tag Data Tag Data Tag Data Tag Data

Eight-way set associatfve (fully aasocłatlve)

'MIII 1 1 J-J-


Tag Data Tag Data Tag Data Tag Data Tag Data Tag Data Tag Data Tag Data


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCN5404 (2) Pamięć podręczna - cache różne strategie wymiany bloków w cache sekcyjnoskojarzenicwych
DSCN5400 (3) Pamięć podręczna - cache spójność danych cache <-> RAM - różne strategie zapisu •
DSCN5401 (2) Pamięć podręczna - cacneodwzorowanie dynamiczne - skojarzeniowe (associative) 12mod8 =
img003 II 80486 - pamięć podręczna (pp) 1. Organizacja 4-blokowa po 2kB - razem 8kB. Tak wiec „dół”
DSCN5396 (2) Pamięć podręczna - cacheróżne metody odwzorowanie adresów bloków pamięci operacyjnej w
DSCN5398 (2) Pamięć podręczna - cache przykład 256 bloków, w każdym 16 słów 32 bitowych Addrass {sho
DSCN5405 (3) Przykład: odczyt pamięci kolejno z adresów: 0,8.0,6.8 4 blokowy cache direct mapped A
DSCN5406 Przykład: odczyt pamięci kolejno z adresów. 0.8.0,6, 8 4 blokowy cache two-way set as$ociat
DSCN5407 Przykład: odczyt pamięci kolejno z adresów: 0.8,0.6,8 4 blokowy cache fully associative Adr
DSCN5411 Wielopoziomowa pamięć podręczna (muftilevel cache) L1 - mała (np. 2*32kB). małe bloki, prio
Slajd25 (105) Pamięć CMOS-RAM Dodatkowe niezbędne informacje o konfiguracji komputera zawarte są w d
Slajd16 Pamięć podręczna ARP Protokół ARP przechowuje tabelę zawierającą adresy 1P i odpowiadające i

więcej podobnych podstron