3582283898

Wynik. (Wypełnia prowadzący...)

T 1	2			Z	Ocena

punkt.

Wstęp do Elektroniki i Elektrotechniki Colloquium 21.05.2012 zestaw A2

Imię i nazwisko..................................

Rok.........kierunek...........grupa

Część testowa.

W każdym pytaniu tylko jedna odpowiedź jest właściwa. Zaznacz ją znakiem X w odpowiedniej rubryce. Za właściwą odpowiedź otrzymasz jeden

1	2	3 4	5	6 7	8	9 10
*	£	X X ><		X	X
^B X
c				X		Y
D						X

Pytanie 1.

Zjawisko rekombinacji nośników w bazie tranzystora bipolarnego...

A) ...jest odpowiedzialne za wzmocnienie tranzystora. Ba ... zwykle jest niekorzystne i zmniejsza wzmocnienie tranzystora. C) ... zwiększa wzmocnienie tranzystora. D)... może zachodzić lub nie, co nie ma żadnego znaczenia dla właściwości tranzystora.

Pytanie 2.

Opór fotoopornika (fotorezystora) maleje przy wzroście oświetlenia. Dzieje się tak, gdyż...

(AwKwanty światła zwiększają ruchliwość nośników ładunku. B) Kwanty światła powodują zwiększenie koncentracji nośników samoistnych. C) Kwanty światła powodują generację nośników nadmiarowych. D) Kwanty światła zmniejszają prędkość rekombinacji nośników.

Pytanie 3.

Kondensatory ceramiczne z dielektrykiem zawierającym znaczną zawartość ferroelektryków (tak zwane ceramiki typu III) charakteryzują się...

_vA]/)użą pojemnością przy małych wymiarach. B) Małymi stratami w dielektryku kondensatora. C) Niewielką pojemnością przy dużej niezależności od temperatury. D) Niewielką pojemnością przy dużej niezależności od przyłożonego napięcia.

Pytanie 4.

Dioda tunelowa charakteryzuje się tym, że...

(A*Posiada na charakterystyce prądowo-napięciowej odcinek o oporności ujemnej. B) Przy określonym napięciu w kierunku zaporowym płynący prąd gwałtownie wzrasta. C) Ma charakterystyki prądowo-napięciowe symetryczne przy przyłożeniu napięcia w obie strony. D) Wykorzystuje złącze metal-półprzewodnik.

Pytanie 5.

Przy kontakcie półprzewodników typów p i n powstaje na złączu p-n warstwa zubożona w nośniki. Dzieje się tak,

A/Nośniki dyfundują w stronę, gdzie ich koncentracja jest mniejsza. B) Nośniki dyfundują w stronę, gdzie ich koncentracja jest większa. C) Nośniki dyfundują w stronę większego potencjału. D) Nośniki dyfundują w stronę mniejszego potencjału.

Pytanie 6.

Przedstawiony na rysunku obwód może być wykorzystany jako...

A) Filtr dolnoprzgnustowy. B) Filtr gór-noprzepustowy.(C)) Filtr pasmowoprze-pustowy. D) Filtr pasmowozaporowy.

Pytanie 7.

W trakcie pracy w zakresie liniowym złącze bramki złączowego tranzystora polowego (JFET) jest spolaryzowane... (A/W kierunku zaporowym. B) W kierunku przewodzenia. C) Odpowiednio dużym napięciem dodatnim. D) Odpowiednio dużym napięciem ujemnym.

Pytanie 8.

Tranzystor MOSFET typu wzbogacanego dla uzyskania liniowego zakresu pracy...

'A^Wymaga wzbogacenia kanału w nośniki. B) Wymaga zubożenia kanału (zmniejszenia koncentracji nośników). C) Może pracować zarówno z kanałem zubożonym jak i wzbogaconym w nośniki. D) Nie da się go użyć w liniowym zakresie pracy.

Pytanie 9.

W porównaniu z diodą ze złączem pn dioda ze złączem Schottkiego (metal-półprzewodnik) charakteryzuje się...

A) Większym dopuszczalnym napięciem w kierunku zaporowym. B) Mniejszym spadkiem napięcia w kierunku przewo-dzepią. C) Brakiem wpływu temperatury na parametry dio-dyCJD); Mniejszą prędkością przełączania pomiędzy stanem przewodzenia a zaporowym.

Pytanie 10.

Grubowarstwowe hybrydowe układy scalone...

A) Są wytwarzane w kryształach wyprodukowanych metodą heteroepitaksji. EttSą wytworzone w jednym monokrysztale półprzewodnika.(G)rPosiadają elementy wytworzone metodą sitodruku. D) Są wytworzone w warstwie przygotowanej metodą homoepitaksji.

Zadania

Za każde zadanie możesz otrzymać do 5 punktów.

Zadanie 2.

Na rysunku przedstawiono model (układ zastępczy) pewnego wzmacniacza. Oblicz jego wzmocnienie napięciowe.

Zadanie 1.

Rysunek przedstawia układ zbudowany z kilku elementów (możesz przyjąć, że źródła i rezystory są idealne). Uzupełnij tabelkę o brakujące wielkości.

J,

R

_ ? A '-o,c

2.

Parametr	Wartość
Napięcie źródła Ul	AhJ
Napięcie źródła U2	2.6 V
Rezystancja R1	lkQ
Rezystancja R2	100 kQ
Napięcie U3	6 V
Napięcie U4 '	0.6 V
Prąd 11	•1jMJ
Prąd 12	6 mA
Wzmocnienie prądowe tranzystora Tl (3)	30g

-L

h. _£■    . .    - ,co

’ 1) ^    idy o

ul/ ~ Ufy iiij

X /

itw , ^ ~-6'f/ A

ulj' -tGV