3582284374

Nazwisko. W, J.//!?./..............

Imię.

k y c n ą,

sem

I

Model hy bryd n nadaje się szczególnie do analizy':

A zmiennoprądowej wzmacniaczy pasmowych w zakresie częstotliwości od 0 do 0,1/j*

B    staloprądowej wzmacniaczy' małej częstotliwości

C zmiennoprądowej wzmacniaczy pasmowych w zakresie częstotliwości do 10kHz D    zmiennoprądowej wzmacniaczy selektywnych

Punkt pracy UjysQ ~ 1ÓV, Uq$q = -2,5V, IpQ - 3mA ma tranzystor pracujący w obszarze aktywnym A    tranzystor bipolarny n-p-n

B unipolarny powierzchniowy (MOS) ze zubożeniem (normalnie załączony), z kanałem p C unipolarny powierzchniowy (MOS) ze wzbogacaniem (normalnie wyłączony), z kanałem p D    unipolarny złączowy (JFET) z kanałem n

Wzmocnienie napięciowe wzmacniacza jest dane zależnością:

A	Ul	*11	B		Yi\
		*22+Yl			*22 +*Ł
	K B	s	D	K ^U2~	Yn
L	ffifi	®2+&		%yi	*22 + *L

Punkt pracy tranzystora w układzie "z wymuszonym prądem bazy" (na rys. poniżej) jest: | mało wrażliwy tak na zmiany temperatury jak i na rozrzut p 3 mało wrażliwy na zmiany temperatury i bardzo wrażliwy na rozrzut P bardzo wrażliwy tak na zmiany temperatury jak i na rozrzut p ) bardzo wrażliwy na zmiany temperatury i mało wrażliwy na rozrzut p

dstawowe układy pracy tranzystora (OE, OC, OB) charakteryzują się następującymi właścrwościam stopień wzmacniający w układzie OB ma największą rezystancję wejściową stopień wzmacniający w układzie OC ma najmniejszą rezystancję wyjściową stopień wzmacniający w układzie OE ma największe wzmocnienie napięciowe stopień wzmacniający w układzie OC ma najmniejszą pojemność wejściową

ry z kompletów danych liczbowych jest poprawny dla układu zasilania tranzystora unipolarnego, zl ET), pokazanego na rysunku:

R_d= 3kQ, R$ =lkQ, E_DD=15V, 1_Dq =2mA, UQ$Q^mW R_d= 3kO, R_s= IkO, E_DD=15V, //^*2mA, UpSQ^mW

l?c=lkfl. Ann =15V. Inn *2mA. f/nw3V_