3582319928

1.    Element elektronie my czynny (aktywny) - element elektroniczny umożliwiający przekształcanie energii elektrycznej, zatem nie będący elementem pasywnym. Zdolny np. do wzmocnienia sygnału, jak tranzystor lub lampa elektronowa, czy też zamiany sygnału analogowego na cyfrowy np. komparator. Elementy aktywne można określić więc jako przetworniki energii elektrycznej aktywnie przekształcające sygnał źródła energii elektrycznaej, siłę elektromotoryczną (SEM). Element czynny wymaga do pracy energii lub sam stanowi jej źródło.

Element elektroniczny bierny (pasywny) element nie przekształcający energii elektrycznej. Całkowita energia doprowadzona do elementu w czasie od minus nieskończoności do "t" jest nieujemna dla dowolnego charakteru napięcia na jego zaciskach i prądu w tym elemencie.

Do chwili doprowadzenia napięcia do zacisków elementu prąd w nim nie płynie i na odwrót - na jego zaciskach nie ma napięcia przed podłączeniem prądu. Przykładami elementów biernych są rezystor, memrystor, kondensator, cewka itd.

Układ scalony (ang, integrated Circuit, chip, potocznie kość) - zminiaturyzowany układ elektroniczny zawierający w swym wnętrzu od kilku do setek milionów podstawowych elementów elektronicznych, takich jak tranzystory, diody, rezystory kondensatory.

2.    Półprzewodniki - najczęściej substancje krystaliczne, których konduktywność (przewodnictwo właściwe) może być zmieniana w szerokim zakresie (np. 10-8 do 103 S/cm) poprzez domieszkowanie, ogrzewanie, oświetlenie bądź inne czynniki. Przewodnictwo typowego półprzewodnika plasuje się między przewodnictwem metali i dielektryków.

Wartość rezystancji półprzewodnika maleje na ogół ze wzrostem temperatury. Półprzewodniki posiadają pasmo wzbronione między pasmem walencyjnym a pasmem przewodzenia w zakresie 0 -6 eV (np. Ge 0,7 eV, Si 1,1 eV, GaAs 1,4 eV, GaN 3,4 eV, A1N 6,2 eV). Koncentracje nośników ładunku w półprzewodnikach można zmieniać w bardzo szerokich granicach, zmieniając temperaturę półprzewodnika lub natężenie padającego na niego światła lub nawet przez ściskanie czy rozciąganie.

W przemyśle elektronicznym najczęściej stosowanymi materiałami półprzewodnikowymi są pierwiastki grupy IV (np. krzem, german) oraz związki pierwiastków grup III i V (np. arsenek galu, azotek galu, antymonek indu) lub II i VI (tellurek kadmu). Materiały półprzewodnikowe są wytwarzane w postaci monokryształu, polikiyształu łub proszku. Obecnie otrzymywane są również póprzewodniki organiczne, na ogó wielocykliczne związki aromatyczne np. poli(p-fenyleno-winylen).

3. Półprzewodniki samoistne jest to półprzewodnik, którego materiał jest idealnie czysty bez żadnych zanieczyszczeń struktury krystalicznej. Koncentracja wolnych elektronów w póprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur.

Półprzewodniki domieszkowe Domieszkowanie polega na wprowadzeniu i aktywowaniu atomów domieszek do struktury kryształu. Domieszki są to atomy pierwiastków, które nie wchodzą w skład półprzewodnika samoistnego. Na przykład domieszka krzemu (Si) w arsenku galu (GaAs).

5. Prawo Ohma ({/ = /?/ )- prawo głoszące proporcjonalność natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia panującego między końcami przewodnika. Prawidłowość odkrył w latach 1825-1826 roku niemiecki fizyk, profesor politechniki w Norymberdze i uniwersytetu w Monachium Georg Simon Ohm.

Prawo Kirchhoffa - Pierwsze prawo Kirchhoffa Pierwsze prawo Kirchhoffa - prawo dotyczące przepływu prądu w rozgałęzieniach obwodu elektrycznego, sformułowane w 1845 roku przez Gustawa Kirchhoffa. Prawo to wynika z zasady zachowania ładunku czyli równania ciągłości. Wraz z drugim prawem Kirchhoffa umożliwia określenie wartości i kierunków prądów w obwodach elektrycznych.

Suma natężeń prądów wpływających do węzła iest równa sumie natężeń prądów wypływających z tego węzła.

Drugie prawo Kirchhoffa - zwane również prawem napięciowym, dotyczy bilansu napięć w