2194450078

pięcia na bramce tranzystora * «a.ww    mhic|v/cj od U_(orn^

toki otwierającej większej od V₍orn napięcie drenu nie /.mienia się,gdyżutr^ je ładunek na pojemności O,. Sytuację tę przedstawia rys ! 1/39. Koftfc,.. C_it rozładowuje się przez zmienną rezystancję kanału otwartego tranzyt, , punktu pracy Q prądem określonym na rys. 11/38 jako Im większy jy j prąd, a więc mniejsza nieliniowa rezystancja kanału, tym jest krótszy c?ai» czania.

Przy wyłączaniu, gdy napięcie na bramce zmaleje do wartości U_Gt < lJ_m napięcie drenu w pierwszej chwili pozostaje równe U_DSr,,.., kanał natomuy. I opróżniony z nośników i tranzystor przestaje przewodzić. Pojemność C_4t l* się do napięcia E_D prze/, rezystancję R_ft, a czas wyłączania

torr - 2.2R_pCi, > tg#

(lik

Zmniejszenie czasu wyłączania przez zmniejszenie rezystancji R₀ ; korzystne, gdyż zwiększa się napięcie U_D5m,„. Należy minimalizować pojnr: Cu, która składa się głównie z połączonych szeregowo pojemności dren-po:.. i źródło-podłożc, przedzielonych rezystancją podłoża. Stosowanie półizobtc, wego podłoża zmniejsza znacznie wpływ tej pojemności.

Przy przełączaniu jest istotny wpływ pojemności sprzężenia zwrotnego f, W chwili pojawienia się na bramce skoku napięcia E_g przez dzielnik pojemno*;, wy C_ti-C_it dostaje się na dren napięcie

A U os

= E,

Cgi+Ci,

(lift

W efekcie na przebiegu napięcia drenu pojawiają się przepięcia przedstawia •-rys. 11/40.

11/40

Wpływ pojemno*/! bramka-dren na praeblcj drenu

Pojemność jest wynikiem nachodzenia elektrody bramki nad obszar • drenu. Nachodzenie to jest konieczne w przypadku tranzystorów o kanale lokowanym, gdyż w przeciwnym razie w szereg z kanałem byłby włączony: kontrolowany obszar o dużej rezystancji. W tranzystorach MOS nomu':¹ załączonych takie nachodzenie nic jest konieczne i pojemność jest mniejsi

11.3.4 Tranzystorowe układy formowania impulsów

Omówiony poprzednio klucz tranzystorowy jest układem, który z zasady $wo;r; działania spełnia rolę obcinacza zarówno od góry, jak i od dołu. Wynik ^: z dwóch stanów granicznych: odcięcia i nasycenia, które określają maksym

i minimalne n

przedstawiono ukl.nl    ciąg impulsów ? przebiegu «nusr.idalnc;o. k<«-

rych amplituda i . u •. . napięciu zasilającemu f_£, czas) narastania i opadania zaś zależą od współ, •, omknw głębokości nasycenia k i k‘. określonych luptęcicm £, i rezystancją H,. odstawiony układ umożliwia pr/ckv.ulccn* przebiegu

sinusoidalnego otrzymanego np. z generatora kwarcowego na ciąc impulsów o równic dokładnie określonej częstotliwości powtarzania. Układ laki ma podstawowe znaczenie w realizacji zegarów kwarcowych, liczników częstotliwości itp.

Tranzystorowe układy formowania współpracują często z. układami różniczkującymi. które jednocześnie spełniają role sprzężenia pojemnościowego między źródłem sygnału a tranzystorem. Na rys. 11.42 przedstawiono układ formują-

11/tt

formowanie impuHu dodnmejo i u Wadem r6łftlaVu]tcym orai prubltjl napięć I prądów

cy dodatnie impulsy napięcia na wyjściu. Tranzystor jest ustawiony statycznie w stanic nasycenia, ujemne zbocze impulsu i generatora daje prąd bazy zatykający tranzystor po czasie określonym głębokością nasycenia tranzystora i wartością tego prądu. Tranzystor znajduje się w stanic odcięcia tak długo, jak długo napięcie na bazie osiągnie ponownie wartość U_T, wynikłą z ładowaniu się kondensatora C ze stałą czasową (Ą+RJC. Efektem jest uformowanie nu kolektorze dodatniego impulsu o czasie trwania określonym parametrami obwodu. Należy podkreślić, że uformowanie takiego impulsu jest możliwe dzięki współpracy układu różniczkującego z nieliniowym obwodem tranzystora.