30488

30488



Następnie podłączamy zworę i znów mierzymy spadek napięcia na rezystorze R15. W tej konfiguracji układu Uris = 0,84 V. Usunięcie zwory spowodowało zmniejszenie napięcia.

Dokonaliśmy także pomiarów Uris dla zadanych wartości częstotliwości: wyniki przedstawia tabela:

f fkHzl

0,3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

UR15

M_

4.12

4,02

3,66

2,97

1,83

1,04

1,93

2.9

3,56

3,94

4,19

Poniższy wykres przedstawia krzywe rezonansowe dla obwodu równoległego i szeregowego.

WNIOSKI

Przeprowadzenie tego ćwiczenia pozwoliło nam zapoznać się z działaniem układów szeregowego i równoległego oraz zaobserwować różnice i podobieństwa miedzy nimi.

Przy wzroście częstotliwości obserwujemy spadek napięcia w obwodzie równoległym. Odwrotna sytuacja ma miejsce w obwodzie szeregowym, gdzie wraz ze wzrostem częstodiwości wzrasta napięcie.

Potwierdziliśmy doświadczalnie, że przy częstodiwości rezonansowej wartość napięcia Ul jest równa wartości napięcia Uc.

Zaobserwowaliśmy również, że pasmo przewodzenia obwodu równoległego jest węższe niż pasmo obwodu szeregowego.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
K 427d moduły. Podłączamy zasilanie modułu i mierzymy wartość napięcia na procesorze w odpowiednich
2 (1447) Składnik U * X R wyraża spadek napięcia na rezystancji zewnętrznej* Oest ono nazywane napię
Jeżeli Ucc jest wystarczająco duże, a spadek napięcia na rezystorze Rc dostatecznie mały, to Ubc - c
Image557 gdzie: Us — spadek napięcia na diodzie, U cm — napięcie tranzystora wyjściowego w stanie
gdzie:    AU - spadek napięcia na twomiku Wprowadzając do wzoru (10) zależność (7),
4,2.3. Prąd w ustroju miliamperornierza przy pełnym odchyleniu wskazówki /c=20 mA. Spadek napięcia n
Uh=f(Ur) Zależność UH=f(UR) l/w] (l’lll>H ap^diui) Hfl UR (spadek napięcie na oporniku) [mVJ
Ur=f(Uc0,5) Zależność UR=f<UC) UR (spadek napięcia na oporniku) [mV)
Ur=f(Uc1,5) Zależność UR=f<UC) UR {spadek napięcia na oporniku) [iiiN/j
Przetwornice prądu stałego wartości tej wrócimy w paragrafie 2.3.d). Spadek napięcia na tranzystorze
DSC00616 /■    - częstotliwość źródła l > Vt V - *-V -spadek napięcia na reaktanc
MOSFET - zasada działania Spadek napięcia na odcinku kanału o długości dy: t / , . In dy uu y)

więcej podobnych podstron