124865

G

!«--i-►;

Rys. 5.7. Wielkosygnałowy model n-JFET wpisany w przekrój tranzystora, który pracuje w zakresie nasycenia (z efektem skrócenia kanału z L do L’)

74. Porównać małosygnałową konduktancję drenu w zakresie liniowym z transkonduktancją tranzystora polow ego w zakresie nasycenia.

Konduktancja drenu 9d (kanału), albo konduktancja wyjściowa g₀:

—    —    i

9d 9 o ^

Transkonduktancja:

fy.-Ł/ os

W*

Pcxłsumowując: są one równe.

3m = ^G0

1-

U„+^G, _/

75. W jakim zakresie napięć transkunduktancja JFET-a jest największa?

De finicja transkonduktancji:

l|U«

fan,

Transkonduktancja będzie więc największa, gdy największy będzie współczynnik kierunkowy stycznej do wykresu funkcji przedstawionej obok (charakterystyka przejściowa). Nastąpi to dla u_os ^U_Pt gdzie U_P to napięcie odcięcia, czyli napięcie, przy którym zanika prąd drenu i następuje odcięcie tranzystora.

76. Oszacować wartości pojemności bramki JFETa i rozdzielić ja na pojemność wejściową i przejściową w zakresie nasycenia.